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2019-08美光MT40A4G4VA-062E DDR4-3200

ddr4 sdram是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为x16配置的8行dram和x4和x8配置的16行dram。ddr4 sdram采用8n预取结构实现高速操作。8n预取体系结构与一个接口相结合,设计用于在I/O管脚处每个时钟周期传输两个数据字。ddr4 sdram的单次读写操作包括内部dram核心的单次8n位宽的四时钟数据传输和在i/o管脚的[详细]


2019-08TPS563200DDCR

TPS563200DDCR[详细]


2019-08美光MT40A4G8BAF-062E DDR4-3200

2GB(TwinDie™)DDR4 SDRAM使用Micron的16GB DDR4 SDRAM芯片(实际上是16GB DDR4 SDRAM的两个级别)。有关本文件中未包含的规格,请参阅美光16GB DDR4 SDRAM数据表。与双模制造零件号MT40A8G4相关的基本零件号MT40A4G4规范;与双模相关的基本零件号MT40A2G8规范制造零件号MT40A4G8。[详细]


2019-08美光MT40A512M16JY-062E DDR4-3200

ddr4 sdram是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为x16配置的8行dram和x4和x8配置的16行dram。ddr4 sdram采用8n预取结构实现高速操作。8n预取体系结构与一个接口相结合,该接口设计用于在I/O管脚处每个时钟周期传输两个数据字。ddr4 sdram的单次读写操作包括内部dram核心的单次8n位宽的四时钟数据传输和在i/o[详细]


2019-08美光MT40A512M16JY-062E IT DDR4-3200

ddr4 sdram是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为x16配置的8行dram和x4和x8配置的16行dram。ddr4 sdram采用8n预取结构实现高速操作。8n预取体系结构与一个接口相结合,该接口设计用于在I/O管脚处每个时钟周期传输两个数据字。ddr4 sdram的单次读写操作包括内部dram核心的单次8n位宽的四时钟数据传输和在i/o[详细]


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