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2018-06新唐单片机代理:MINI52FDE

MINI52FDE为Cortex-M0 32位微控制器系列,其特点为宽电压工作范围 2.5V至 5.5V与-40℃ ~ 105℃工作温度、内建22.1184 MHz高精度RC晶振(±1%精确度,25℃ 5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富外设、整合多种串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用[详细]


2018-06MINI51ZDE单片机(含参数与中文资料)

Mini51为Cortex-M0 32位微控制器系列,其特点为宽电压工作范围 2.5V至 5.5V与-40℃ ~ 105℃工作温度、内建22.1184 MHz高精度RC晶振(±1%精确度,25℃ 5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富外设、整合多种串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用程[详细]


2018-06MINI51TDE单片机(含参数与中文资料)

Mini51为Cortex-M0 32位微控制器系列,其特点为宽电压工作范围 2.5V至 5.5V与-40℃ ~ 105℃工作温度、内建22.1184 MHz高精度RC晶振(±1%精确度,25℃ 5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富外设、整合多种串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用程[详细]


2018-06MINI51LDE单片机(含参数与中文资料)

Mini51为Cortex-M0 32位微控制器系列,其特点为宽电压工作范围 2.5V至 5.5V与-40℃ ~ 105℃工作温度、内建22.1184 MHz高精度RC晶振(±1%精确度,25℃ 5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富外设、整合多种串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用程[详细]


2018-06MINI51FDE单片机(含参数与中文资料)

MINI51FDE为Cortex-M0 32位微控制器系列,其特点为宽电压工作范围 2.5V至 5.5V与-40℃ ~ 105℃工作温度、内建22.1184 MHz高精度RC晶振(±1%精确度,25℃ 5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富外设、整合多种串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用[详细]


2018-06新唐M0推荐:Mini51系列助你升级至32位单片机

新唐NuMicro® Mini51系列以 Arm® Cortex®-M0为核心,运行频率最高达 50 MHz,提供  4种 Flash 程式容量 (4/ 8/ 16/ 32 KB),内置 32 位高精度乘法器,支持宽电压操作范围 2.5V 至 5.5V,且符合 -40度至105度工业级温度规格。Mini51系列为新唐M0系列推荐及明星产品,现大量供货中……Mini51 系[详细]


2018-06新唐M480系列单片机|新唐2018最强势Cortex-M4单片机

台湾第一品牌单片机生产厂商新唐最强新品M480全系列磅礴登场,关键特性、封装、供应与开发板真容震撼。M480 系列高效能单片机介绍高效能、低功耗并且支持安全启动(Secure Boot)与硬件加密的 NuMicro® M480 全系列 Arm® Cortex®-M4 单片机,可支持 DSP 指令集且整合浮点单元(FPU)。M480 全系列产[详细]


2018-05华邦 W632GU6MB

The W632GU6MB is a 2G bits DDR3L SDRAM and speed involving -09, -11, -12, -15, 09I, 11I, 12I, 15I, 09J, 11J, 12J and 15J.产品特点Power Supply: VDD, VDDQ = 1.35V(typ.), VDD, VDDQ=1.283V to 1.45VBackward compatible to VDD, VDDQ=1.5V ± 0.075 VDouble Data Rate architecture: two data transfe[详细]


2018-05华邦 W632GG6MB

The W632GG6MB is a 2G bits DDR3 SDRAM and speed involving -09, -11, -12, -15, 09I, 11I, 12I, 15I, 09J, 11J, 12J and 15J.产品特点Power Supply: VDD, VDDQ = 1.5V±0.075VDouble Data Rate architecture: two data transfers per clock cycleEight internal banks for concurrent operation8 bit prefet[详细]


2018-05华邦 W632GG8MB

The W632GG8MB is a 2G bits DDR3 SDRAM and speed involving -09, -11, -12, -15, 09I, 11I, 12I, 15I, 09J, 11J, 12J and 15J.产品特点Power Supply: VDD, VDDQ = 1.5V±0.075VDouble Data Rate architecture: two data transfers per clock cycleEight internal banks for concurrent operation8 bit prefet[详细]


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