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2019-08美光MT40A4g4DVN-062H DDR4-3200

16 GB,2-高(2H)和32 GB,4-高(4H)三维堆栈(3DS)DDR 4 SDRAM使用微米的特殊3DS,8GB DDR4SDRAM组织成两个或四个逻辑级。参考微米的8GB DDR 4 SDRAM数据未包括在本文件中的规格单。基件编号MT40A2G4与2H3DS制造部件编号MT40A4G4和4H3DS制造零件编号相应的规范MT40A8G4;基础零件号MT40A1G8的规格对应于2H3ds制造[详细]


2019-08美光MT40A4g4DVN-068H DDR4-2933

16 GB,2-高(2H)和32 GB,4-高(4H)三维堆栈(3DS)DDR 4 SDRAM使用微米的特殊3DS,8GB DDR4SDRAM组织成两个或四个逻辑级。参考微米的8GB DDR 4 SDRAM数据未包括在本文件中的规格单。基件编号MT40A2G4与2H3DS制造部件编号MT40A4G4和4H3DS制造零件编号相应的规范MT40A8G4;基础零件号MT40A1G8的规格对应于2H3ds制造[详细]


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