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ML51DB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51DB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
ML51BB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51BB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1[详细]
在之前的文章中，笔者介绍了《STM32单片机和51单片机有何区别》，在本文中，我们再介绍他们间在编程上的区别。在编程方面，51单片机的任何器件只需要配置寄存器打开就可以，比如IO直接赋值=0或=1就可以了。STM32单片机则需要先打开对应的时钟，包括开启后打开外部时钟（晶振）才开始工作，而IO光打开时钟还不行[详细]
近期因为工作项目开始真正的使用上新唐M051，开始领会到新唐M0尤其是M051的魅力所在，并深刻了解到官方的良苦用心。体会了M0+51的独特魅力,没错,他就是为了搅局8位机市场而来,目标就是成为和8051媲美的单片机.他做到了.avr时代很多人, 觉得端口单独赋值不方便:举例-两个液晶端口: &n[详细]
N76E003都可以干那些活呢？颖特新FAE为你介绍N76E003在智能家居中的应用：新唐智能电热水器解决方案前言电热水器是指以电为能源通过电阻丝、磁能与硅管等来加热的热水器，分为储水式、即热式、速热式等。防漏电等安全性要求非常高，并诉求加热效率、定时与预热等智能化功能。新唐安全智能电热水器方案采用1T 80[详细]
N9H20K51N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达200 MHz，堆叠32 MB SDRAM记忆体於同一封裝，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H20K51N符合 -20℃至[详细]
N9H26K51N系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达264 MHz，堆叠或32 MB SDRAM记忆体于同一封装，提供128-pin，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：2组UART、SDIO/eMMC 接口、NAND Flash 接口24bit LCD控制器和高速USB Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H26K51N符合 -20℃[详细]
N9H30F51I系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin和216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：11组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器和高速USB 2.0 Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的[详细]
N9H30F51IEC系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供 216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：11组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器、2组CAN, 2組10/100Mbps 以太网口和高速USB 2.0 Host/Device等，[详细]
电磁炉采用的电磁感应加热技术是将低频50Hz交流电转化为17~35KHz的中高频电流，再通过感应线圈，形成高频磁场，作用于专用的铁质锅具时即产生强大的电涡流磁场，使金属原子高速激荡碰撞，进而迅速产生高温，实现快速加热煮食的目的。电磁炉方案分别为：单管方案、半桥方案与全桥方案。单管方案适合2千瓦以下（目[详细]
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