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TH58BVG3S0HBAI6是一个3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。[详细]
TH58BVG3S0HTAI0是一个3.3V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×6[详细]
TH58BYG3S0HBAI4是一个1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有一个4224字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：422[详细]
TH58BYG3S0HBAI6是一个1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有一个4224字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元中实现 (256Kbytes + 8Kbytes ： 422[详细]
TH58NVG3S0HBAI4是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]
TH58NVG3S0HBAI6是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]
TH58NVG3S0HTAI0是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]
TH58NYG3S0HBaI4是一个1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+256)字节或64页或4096块。装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：4352字节×[详细]
TH58NYG3S0HBaI6是一个1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+256)字节或64页或4096块。该设备具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：4352字节×[详细]
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