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NuMicro® NUC029NAN特色为宽电压工作范围2.5V ~ 5.5V，工作温度 -40℃ ~ +85℃，操作频率达50MHz，具备64 KB Flash和4 KB SRAM。内建22.1184 MHz高精度晶振。NUC029NAN备有丰富的外设，如高达8通道PWM、8通道12位ADC、定时器、看门狗定时器、UART、SPI、I2C…等。目标应用:LED灯光控制、工业控制、马达控制[详细]
NuMicro® NUC029KGE为32位单片机，内建Arm® Cortex®-M0 内核，速度高达72 MHz。主要产品特色包含内置48 MHz高精度高速RC振荡器并支持 USB 传输不需外挂晶体 (Crystal-less);可调式VDDIO管脚，其接受宽电压范围为1.8V ~ 5.5V，便于连接与VDD电压不同之外部元件，达成更弹性的设计；PWM运行速度最高可[详细]
M031TC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备32 KB Flash 和 4 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
M031SC2AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备32 KB Flash 和 8 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
M031LC2AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备32 KB Flash 和 8 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
M031FC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备32 KB Flash 和 4 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
新唐M031EC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 V ~ 3.6 V，配备 32 KB Flash和 4 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、[详细]
NuTiny-NUC029SG开发板是芯唐科技2019年3月份推出的开发板，相关开发板介绍等笔者正式拿到开发板后向大家介绍，目前有需要此款开发板的工程师朋友们可联系业务预定。[详细]
ML51UC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51UC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
ML51TC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51TC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
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