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美光半导体周四宣布，该公司一开始量产基于第三代 10nm 制程（又称 1z nm）制程的存储芯片，首批到来的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。随着时间的推移，该公司还将进一步扩大其产品组合。与第二代 10nm 工艺相比， 新工艺使得美光能够提升 DRAM 芯片密度，在增强性能的同时、降低产品的功耗。值得一提的是[详细]
FLASH闪存目前有两种类型分别是NOR和NAND，1988年inter首先开发出NOR flash技术，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。现在就来讲讲二者的主要区别吧。一.存储区别NOR的特点是芯片内执行，这样应用程序可以接在flash闪存内运[详细]
业界领先的芯片制造商美光科技(MU)最近开始大规模生产16Gb的DDR4产品，使用1z纳米(纳米)工艺技术。因此，美光成为第一家使用最小DRAM节点来扩展DRAM功能的内存芯片公司。使用1z nm节点生产16Gb DDR4产品将消耗更少的电能。值得注意的是，与之前的基于8Gb DDR4的产品相比，DDR4产品将减少40%的功耗。较小的1z nm[详细]
美光半导体在本周早些时候与投资者和金融分析师召开的业绩电话会议上，表达了对其长期前景的信心，并表示随着未来几年各领域新应用的涌现，对其产品的需求强劲。该公司还概述了扩大产能和迅速转向更先进工艺技术的计划。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示:“我们相信，受人工智能、自动驾驶汽车、5G和物联网等[详细]
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