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相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]
本文只对 W25Q80DV 数据手册的一部分进行解读，其涵盖的内容基本足够开发标准 SPI 接口的 Linux 驱动和裸板驱动一般描述 W25Q80DV（8M-bit）是一个串行 Flash 存储器。容量为 8M-bit（存储器被组织成 4096 页，每页 256 字节），同一时间最多可以写 256 字节（一页）。 页擦除方式可以按 16 页一组[详细]
先介绍一下norflash .norflash 是一个容量比较小的内存相比nandflash ,但是比nandflash的质量好，不会有坏块，也就不会有数据丢失。所以可以用来存放一下不予许出错的数据。nandflash 可以存放海量数据如视频等。我们用的的norflash是2M大小的。可以直接读，但不可以直接写。如果要写的话，先要解锁写操作，解锁[详细]
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工[详细]
总体概述颖特新科技带您了解该芯片是一款典型的大容量NAND Flash存储颗粒，支持Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.1的接口标准，采用ONFI NANDFlash的操作协议。该芯片采用Multiple-level Cell （MLC）技术，根据不同的容量，一个芯片内部封装了多个DIE（LUN），每个DIE由两个Plane构成，一个Plane可以分成20[详细]
一、概述：静电释放(ESD)是我们每一个产品设计工程师需要考虑的一个相当重要的问题。大多数电子设备都 处于一个充满ESD的环境之中，ESD可能来自人体、家具甚至设备本身(内部)。电子设备完全遭受ESD损毁比较少见，然而ESD干扰却很常见，它会导致设备锁死、复位、数据丢失和不可靠。其结果可能是：在寒冷干燥的冬[详细]
村田制作所推出了Murata Power Solutions的600W，DOSA兼容，12V输出，数字四分之一砖DC-DC转换器系列。该系列专为基于32位ARM处理器的高可靠性应用而设计，该处理器支持用于数字控制和遥测功能的最新PMBus命令。DSQ，DCQ和DAQ转换器支持36-75V的完整“TNV”输入范围，典型效率为96％@满载48Vin。&[详细]
嫦娥四号成功登陆月背，引发了国内外无数目光的注视，此次“登月”的过程中，地面上也有数十双天线和雷达组成的“眼睛”在时刻关注着“嫦娥”，它们都是由中国电科研制。此外，中国电科还为“嫦娥”配备了众多关键核心器件，为其精确探测保驾护航，如深空测控系统低温接收机，混合步进电机，宇航用电缆，压力传[详细]
作为新设计设备的声音元件都在选用村田SMD(表面贴装型)扩音器，既有产品中客户也在在不断的将插销型和电磁扩音器替换为SMD。现在由颖特新科技（村田的代理）详细讲述选用村田SMD扩音器的六大理由。一、小型·薄型厚度：约薄70%。※与本公司相比适合小型医疗/可穿戴设备等。SMD和插销型的尺寸比较（単位: mm）SM[详细]
RT6210为具有输入电压5.2V至80V及可编程输出电压0.8V至72V的80V、500mA、350kHz高效率同步降压型DC-DC转换器。电流模式的控制方式可简化外部补偿，并可搭配宽范围的电感和输出电容来优化瞬态响应。高效率可藉由集成的N-MOSFET以及轻负载时的脉冲跳跃模式来实现。由于具备EN引脚，使得上电时序可更加灵活及关机静[详细]
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