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2015-04NAND FLASH闪存中SLC、MLC与TLC的比较

SLC与MLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，广泛被用于手机、固态硬盘上。SLC全称Single-Level Cell ，即单层单元闪存。SLC存储1bit/cell，具有速度快寿命长的优点，但是容量做得不高。MLC全称Multi-Level Cell，即多层单元闪存。MLC存储2bit/cell，它速度一般寿命也一般，但是在同等体积下可以做得比SLC更高[详细]

2015-04nor flash是什么意思|nanD flash是什么意思?

Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NOR型与NAND型[详细]

2015-04三星、东芝及Intel 3D NAND闪存对比分析

NAND 闪存即将步入3D时代，目前3D NAND闪存生产厂商三星、东芝和SanDisk与Intel和美光的3D NAND闪存各有什么样的特点呢？三星是最早采用3D NAND(V-NAND)闪存的SSD，东芝和SanDisk的48层3D NAND闪存也在昨天开始向合作伙伴提供样品，Intel和美光算是后来居上，2014年11月才公布了他们的产品，近日他们公开了更多[详细]

2015-04NAND闪存：闪迪48层第二代3D NAND闪存即将投产

颖特新讯：全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司（纳斯达克股票代码： SNDK）近日宣布成功开发出48层第二代3D NAND闪存(亦称为BiCS2)。计划于2015年下半年在位于日本四日市的合资工厂内投入试生产，于2016年进行规模化商业生产。闪迪存储技术部执行副总裁Siva Sivaram博士表示：“我们非常高兴能够发布第[详细]

2015-03WinbonD W949D2DBJA

W949D2DBJAThis is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits产品特点Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V Data width: x32 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz Standard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD Pr[详细]

2015-03WinbonD W949D2DBJX

W949D2DBJXThis is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits产品特点Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V Data width: x32 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz Standard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD Pr[详细]

2015-03WinbonD W949D6DBHA

W949D6DBHAThis is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 4M words x 4 banks x 16bits产品特点Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V Data width: x16 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz Standard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD Pr[详细]

2015-03WinbonD W949D6DBHX

W949D6DBHXThis is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 4M words x 4 banks x 16bits产品特点Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V Data width: x16 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz Standard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD Pr[详细]

2015-03WinbonD W94AD6KBHX

W94AD6KBHXThis is a 1Gb Low Power DDR SDRAM organized as 16M words x 4 banks x 16bits产品特点Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V Data width: x16Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz Standard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD Prog[详细]

2015-03WinbonD W94AD2KBJX

W94AD2KBJXThis is a 1Gb Low Power DDR SDRAM organized as 8M words x 4 banks x 32bits产品特点Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V Data width: x32Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz Standard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD Progr[详细]

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