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相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面从而确保内存稳定，另外，DDR4内存的金手指设计也有明显变化，金手指中间的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。当然[详细]
DDR=Double Data Rate，即双倍数据速率。DDRSDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯称为DDR。其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展[详细]
SDR：Single Data Rate, 单倍速率DDR：Dual Data Rate， 双倍速率QDR：Quad Data Rate， 四倍速率DRAM：Dynamic RAM， 动态随机存储器， 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据SRAM：Static RAM， 静态随机存储器， 静态随机存储器，不需要刷新电路，数据不会丢失SDRAM: Synchronous DRAM， 同步状态随机[详细]
DRAM内部分割成多个L-Bank，每个L-Bank形状相同，彼此独立，可以独立工作。早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank，后来是4个，DDR3内存芯片为8个。在进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个L-Bank，而每次与CPU交换的数据就是 L-Ban[详细]
1.NAND颗粒：浮栅极物理结构单元，通过电压驱动电子，由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒，擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题，其次是由于特殊的结构，擦除时延较大，在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[详细]
除了产品，包括外置元件在内，株式会社村田制作所（以下简称“村田”）还设计了尺寸小、噪声低的DC-DC转换器模块MonoBK or Mono Block解决方案。村田的MonoBK解决装置的空间问题。DC-DC转换器的简介DC-DC转换器是一种将直流（DC）转换（Convert）为直流（DC）的装置。配套的线路板上搭载的IC等，固有的工作电压[详细]
随着物联网行业的发展，RFID技术逐步大众化，越来越多地应用在我们的日常生活中，给人们的生活带来了方便快捷。RFID(Radio Frequency Identification)的实质是借助无线射频技术(RF)来实现对物品的身份和信息识别。零售业从采购、存储、包装、装卸、运输、配送、销售到服务，整个供应链环环相扣。企业必须实时地[详细]
NAND FLASH的结构原理图见图1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变FloatingGate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们[详细]
说起韩国巨头SK海力士，大家肯定都知道他家的NAND闪存、DRAM内存芯片，不过其实在早些年，SK海力士还做过零售SSD产品的，只不过一直没有什么突破，就悄悄退出了，专心经营上游芯片。 现在，SK海力士又重新回到了零售SSD市场，正式发布了SuperCore系列产品，首发型号Gold S31。 作为回归首作，G[详细]
颖特新科技讯，美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra最近访问了中国，三星电子和SK海力士都感到不安。因为中国半导体公司与世界三大存储芯片制造商之一的美光科技之间的密切关系可能对韩国公司产生不利影响，尽管它们之间没有立即合作。据《Business Korea》报道，美光科技在中国拥有大量客户，可能会在新投资或与[详细]
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