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ST扩展了STM32L4产品系列及其性能。最新的STM32L4+系列单片机在保持最佳超低功耗特性的同时，还提供更了优越的性能（最高频率可达120 MHz）、更大容量的内置存储器（高达2 MB Flash存储器和640 KB SRAM）、更丰富的图形处理能力和连接特性。STM32L4+系列打破了现有超低功耗领域的性能极限，通过执行片内FLASH指[详细]
基于ARM® Cortex®-M3的STM32 F2系列单片机采用意法半导体先进的90 nm NVM制程制造而成，具有创新型自适应实时存储器加速器（ART加速器™）和多层总线矩阵， 实现了前所未有的高性价比。该系列MCU具有集成度高的特点：整合了1MB Flash存储器、128KB SRAM、以太网MAC、USB 2.0 HS OTG、照相机接口、[详细]
得益于意法半导体的ART Accelerator™ 加速器以及一级高速缓存【L1 CACHE】，不论是从内部闪存还是外部存储器执行程序，STM32F7微控制器均能释放Cortex-M7内核的最高性能理论值: 在216 MHz fCPU主频时，性能测试取得1082 CoreMark /462 DMIPS的成绩。富有更多新外设的智能系统架构STM32F7系列充分释放Cort[详细]
利用L1缓存，STM32H7 32位单片机实现了Cortex-M7内核的最高理论性能——无论是从嵌入式闪存还是外部存储器来执行代码：400 MHz 处理器频率下性能可达到 2010 CoreMark /856 DMIPS。STM32H7系列32位MCU采用Cortex-M7内核，具有新一代外设集的智能架构• 面向内核、外设和存储器互连的AXI总线和多AHB总线矩阵[详细]
STM32 L0 MCU的每个部分都通过优化达到了卓越的低功耗水平。由此产生了功耗性能破纪录的真正超低功耗MCU。ARM® Cortex®-M0+内核与STM32单片机超低功耗特性的独有结合，使STM32 L0 MCU非常适合电池供电或供电来自能量收集的应用。STM32 L0微控制器提供了动态电压调节、超低功耗时钟振荡器、LCD接口、比较[详细]
意法半导体基于ARM® Cortex™-M3的STM32 L1系列MCU采用ST专有的超低泄漏制程，具有创新型自主动态电压调节功能和5种低功耗模式，为各种应用提供了无与伦比的平台灵活性。STM32 L1系列mcu扩展了超低功耗的理念，并且不会牺牲性能。与STM32 L0及STM8L一样，STM32 L1单片机提供了动态电压调节、超低功耗时[详细]
意法半导体通过构建新型芯片架构实现了同类产品中最佳的超低功耗及性能，这得益于其应用设计上的高度灵活性。STM32L4 MCU在超低功耗微控制器效率的标准化EEMBC™ ULPBench®测试中获得253分【该测试是用来对各类低功耗微处理器做低功耗效率比较的标准】。此外，STM32L4系列单片机打破了当前超低功耗领域[详细]
Mini51为Cortex-M0 32位微控制器系列，其特点为宽电压工作范围 2.5V至 5.5V与-40℃ ~ 105℃工作温度、内建22.1184 MHz高精度RC晶振(±1%精确度，25℃ 5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富外设、整合多种串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用程[详细]
Mini51为Cortex-M0 32位微控制器系列，其特点为宽电压工作范围 2.5V至 5.5V与-40℃ ~ 105℃工作温度、内建22.1184 MHz高精度RC晶振(±1%精确度，25℃ 5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富外设、整合多种串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用程[详细]
Mini51为Cortex-M0 32位微控制器系列，其特点为宽电压工作范围 2.5V至 5.5V与-40℃ ~ 105℃工作温度、内建22.1184 MHz高精度RC晶振(±1%精确度，25℃ 5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富外设、整合多种串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用程[详细]
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