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BL24C04FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2K,04产品简介BL24C04A提供4096比特串行电可擦写存储器，组成512个字节，每页16个字节，共32页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C04AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,4k,04产品简介BL24C04A提供4096比特串行电可擦写存储器，组成512个字节，每页16个字节，共32页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C02FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2K,02产品简介BL24C02F提供2048比特串行电可擦写存储器，组成256个字节，每页16个字节，共16页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C02AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2k,02产品简介BL24C02A提供2048比特串行电可擦写存储器，组成256个字节，每页16个字节，共16页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
据报道，一名消息人士透露，在中国网信办对美国美光科技公司的产品实施部分禁令后，包括浪潮集团和联想集团在内的中国顶级服务器制造商已要求供应商暂停订购含有美光芯片的模组。该消息人士称，用于服务器内存模块的DRAM芯片是一种商品化组件，通常由美光和三星电子供应。报道指出，暂停的订单突显出中国周日宣[详细]
在日常生活中，我们接触到的许多信号都是模拟信号，而为了方便处理和传输，我们需要将这些信号转换成数字信号。AFE（Analog Front End，模拟前端）芯片正是扮演着这个重要角色，它将周围环境中的模拟信号进行预处理，并将其转换为微处理器能识别的数字信号。颖特新将详细介绍AFE芯片的应用领域和工作原理，带您[详细]
M258SG6AE 是 32 位低功耗微控制器产品内建 LCD 驱动以及电容式触控，基于 M23 内核支持 Armv8-M 指令集架构，工作频率为 48 MHz，内建 256 KB Flash及 32 KB SRAM，运作在 1.75V 至 5.5V 宽工作电压和 -40℃ 至 105℃ 的工业温度范围。M258KG6AE 内建 4 x 44, 6 x 42, 8 x 40 COM/SEG 驱动控制器，具备电荷泵以[详细]
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M258SG6AE 是 32 位低功耗微控制器产品内建 LCD 驱动以及电容式触控，基于 M23 内核支持 Armv8-M 指令集架构，工作频率为 48 MHz，内建 256 KB Flash及 32 KB SRAM，运作在 1.75V 至 5.5V 宽工作电压和 -40℃ 至 105℃ 的工业温度范围。M258KG6AE 内建 4 x 44, 6 x 42, 8 x 40 COM/SEG 驱动控制器，具备电荷泵以[详细]
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