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近年来，手机所等便携式电子设备进一步向小型化、高性能化发展，所搭载的电子零部件也同样朝着小型化、高度集成化发展。另外，为了控制电力消耗、确保并延长设备的运行时间的IC驱动电压也加速向低电压化发展。结果，电子设备便处于更容易受到来自带有高电压的静电所带来的影响的环境中，从而导致设备故障和元件[详细]
全球电路保护领域的领先企业Littelfuse公司宣布推出TCMOV34S, SMOV34和SMOV25系列为保护高能量电路而设计的压敏电阻产品。 新型TCMOV34S是34平方毫米式压敏电阻元件，将出众的最大浪涌承受能力（50kA）与集成热感应材料相结合。 该产品专为保护高能电路而设计，可抵[详细]
TT electronics公司推出全面的绕线电阻系列，具有范围从2W至7W的业界最高额定浪涌能量。WHS系列防燃电阻适用于广泛的脉冲应用，特别瞄准需要线路输入电阻来实现启动电流限制和保护的电源设计人员的需求。 优化的浪涌性能源自这些电阻产品的特殊绕线设计，其中的[详细]
东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低导通电阻MOSFET——TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造，可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到该产品系列中，成为现有型号的换代产品。所有三款产品均[详细]
2012 年 12 月20 日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip?电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻容差。 WSLP2010电阻采用先进的结构，这种结构使用了具有低TCR (&[详细]
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻. 三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA)[详细]
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-2[详细]
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其0805外形尺寸的PATT精密车用薄膜片式电阻现已对外供货。PATT的工作温度范围比传统的片式电阻多85℃，可在+155℃和100%功率耗散的条件下工作，在+250℃下线性降额至0mW。器件通过AEC-Q200认证，绝对TCR低至±25ppm/℃，经过激光微调的公差可以低至±0.1%。今天发布[详细]
全球功率半导体和管理方案领导厂商 国际整流器公司扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件，具有极低的导通电阻 (RDS(on))。 ??IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装，导通电阻典[详细]
??Silego公司推出1.0 x1.6 mm STDFN封装而成的电阻为22.5mΩ ，电流为2.5A的负载开关产品SLG59M1563V。??2014年Silego公司于美国加州圣克拉拉推出GFET3负载开关系列一款新成员，命名为SLG59M1563V，导通电阻为22.5mΩ、支持2.5A持续电流、逆转电流阻断且以1.0 x1.6[详细]
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