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Page Read Time with ECC Enable: 50usPage Program Time: 250us(typ.)Block Erase Time: 2ms(typ.)Support OTP Memory Area[详细]
DFT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、module level，定义各项测试的次序，筛选出性能较差和失效的device，需要[详细]
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解，大家可以参考文章闪存技术最全面解析。今天主要讨论下NAND Flash生产过程、架构和关键指标。NAND Fl[详细]
相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]
前言：这个所谓的芯片内执行（XIP）对于我这种一根筋的人是很难理解的，一直总觉得CPU是只能在RAM中运行程序，为何能够在Nor Flash中执行程序呢，这里面就有个概念容易混淆，也可能是翻译理解的问题。所谓片内执行不是说程序在存储器内执行，CPU的基本功能是取指、译码、运行。Nor Flash能在芯片内执行，指的是[详细]
一、引脚介绍引脚名称引脚功能CLE 命令锁存功能ALE 地址锁存功能/CE 芯片使能/RE 读使能/WE写使能/WP写保护R/B 就绪/忙输出信号Vcc电源Vss地N.C不接IO0~IO7传输数据、命[详细]
1引言NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH 支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH 片内执行。这点和NAND FLASH 不一样。因此，在嵌入是系统中，NOR FLAS H 很适合作为启动程序的存储介质。NOR FLAS H 的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NOR FLAS H 的写操作需要遵[详细]
业界领先的半导体供应商兆易创新GigaDevice宣布全新的SPI NOR Flash --- GD25WDxxCK产品系列正式量产，它是业界首款采用1.5mm′1.5mm USON8最小封装，并支持1.65V至3.6V的低功耗宽工作电压的产品。作为GigaDevice久经市场验证的1.8V、2.5V、3.0V SPI NOR Flash产品系列的有效补充，这款全新的宽电压、超小[详细]
1、闪存基本介绍Flash存储是存储界的新人和红人。Flash存储系统由于其优异的性能、高效的存储密度和出色的节能特性使得Flash存储有望替代机械磁盘成为企业级存储的核心。未来很有可能所有的数据都会存储在Flash存储介质上面，包括银行、中小企业、互联网、电信等存储大户。紫外线可擦除存储器当年沉迷于电子设计[详细]
本文主要介绍如何对Nand Flash进行测试，适用与华邦品牌，也适用其它同行品牌。FT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、[详细]
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