你好！欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司！
功率密度的新水平35年前取代双极晶体管以来，硅MOSFET已广泛应用于大多数电力应用中。在这10年中，氮化镓（GaN）已经是一种成熟的半导体材料，广泛应用于LED照明和无线应用。现在，随着GaN FET的特性和工艺的进步（更低的Rdson和Qg），功率转换器将具有更高的效率、更快的开关频率和更小的尺寸。GaN必将把当前的[详细]
点击打开链接进度条，百分之3本视频着重于ST对宽禁带器件GaN产品及技术介绍、详细讲解了最新的 MasterGaN和VIPerGaN的竞争优势，并就相充电器、适配器等应用案例及技术细节进行分享和探讨。如需要了解更多ST意法半导体MCU产品，请联系核心代理商颖特新科技或者扫码联系我们！[详细]
德州仪器（TI）近日宣布推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频（RF）包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法[详细]
德州仪器（TI）宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™ 实时微控制器（MCU），辅以台达（Delta Electronics）长期耕耘之电力电子核心技术，为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器（PSU）。与使用传统架构的企业服务器电源供应器相比，台达研发的服务器电源供应器将功率密度提高了80%，效率提[详细]
今年开始，GaN车规化获得很多企业的青睐，不仅有圈内大厂ST、英飞凌、TI将其列为重推产线，更有纳微、安世等后发新秀，纷纷借助GaN优势的性能打出一系列车用级产品，推动GaN“上车”声浪节节走高。但从在市场实际渗透方面，GaN显然还是比SiC要慢半拍。 很多公司通过GaN去尝试Jedec标准工业级尝试，但是都失[详细]
5月13日，意法半导体和MACOM宣布宣布成功生产射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。此外，[详细]
为了便于向高效宽带隙技术的过渡，意法半导体发布了分别适用于高达 45W 和 150W 的应用的 MasterGaN3 和 MasterGaN5 集成功率封装。加入面向 65W 至 400W 应用的 MasterGaN1、MasterGaN2 和 MasterGaN4，这些新增产品为设计开关电源、充电器、适配器、高压功率因数校正时选择最佳 GaN 器件和驱动器解决方案提供[详细]
去年，这家移动巨头公司推出了重新设计的16英寸笔记本电脑，配备了各种各样的端口、先进的连接功能和卓越的电池寿命，这些都需要一款140W电源适配器的支持。但众所周知，这款16英寸笔记本电脑的原装充电器只能为一个设备充电，这给那些想在商务旅行中同时为手机充电的人带来了不便。为了解决这个问题，[详细]
意法半导体的MasterGaN4功率封装集成了两个具有225mΩRDS（on）的对称650V GaN功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护，可简化高达200W的高效功率转换应用的设计。意法半导体的MasterGaN系列的最新成员，MasterGaN4消除了复杂的栅极控制和电路布局挑战，从而简化了使用宽带隙GaN功率半导体的设计。通过输入[详细]
基于MasterGaN平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ，每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器，使GaN晶体管像普通硅器件一样[详细]
扫码关注我们
0755-82591179
邮箱：ivy@yingtexin.net
地址：深圳市南山区桃源街道平山社区平山一路2号南山云谷创业园二期11栋410-411
Copyright © 2014-2026 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved. 粤ICP备14043402号-4
