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2024-06 Arm CSS和KleIDiAI等技术创新致力于AI技术的发展

凭借 Arm CSS 和 KleidiAI 等技术创新,Arm 首席执行官 Rene Haas 预计,到 2025 年底,将有超过 1,000 亿台基于 Arm 架构设备可用于 AI。在 COMPUTEX 2024 展前,Arm 首席执行官 Rene Haas 分享了公司将如何实现到 2025 年底让超过 1,000 亿台基于 Arm 架构设备可用于从云端到边缘侧的人工智能 (AI)。 我[详细]


2024-05MathWorks与NVIDIA联手加速了人工智能在医疗技术领域的创新

中国 北京,2024 年 5 月 8 日 —— 全球领先的数学计算软件开发商 MathWorks 今天宣布,发布 MATLAB? 已成功集成到 NVIDIA Holoscan 平台。现在,医疗设备工程师可以将现有 MATLAB 算法和函数包装到 GPU 加速的 NVIDIA Holoscan 算子中以进行实时数据处理和推断,从而加速流数据分析和可视化应用程序的开发与部[详细]


2024-01年产能24万片!这家碳化硅IDM厂商实现批量出货

SiC 具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度等优良特性,目前已经成为半导体领域最火热、最具前景的材料之一。最近,芯八哥“走进产业链”栏目记者采访了国内碳化硅IDM的新锐企业杰平方半导体副总经理黄宏留,探讨在碳化硅爆发式发展的大背景下,杰平方半导体实现快速增长的突破之道。专注高壁垒市场,[详细]


2024-01 微芯/SK Hynix/NVIDIA等芯片最新现货行情

最新行业头条2023年前11月全国电源电网工程完成投资超1.2万亿元(国家能源局)WSTS上调2024年全球半导体市场增长预测,同比增长131%2024年全球半导体产能将增长6.4%至3000万片/月 (SEMI)预计2024年GPU产值将同比增长70% (DellOro)2023年1-11月规模以上电子信息制造业营收同比下降1.8%韩国2023年12月半导体出口额同[详细]


2023-11IDC 谏早电子开发 漏电保护电路最佳IC

半导体制造商的谏早电子开发了用于检测漏电的模拟IC「RT8H054K」。可作为漏电断路器和漏电保护接头使用。本产品采用1波2次计数方式,動作时间可通过外部电容设定。此外,即使检测到一次漏电,也能保留异常输出的锁存输出格式。内部电路图、应用电路图时序图当VR端子电压高于IN端子电压时定义为负电压,当低于IN[详细]


2023-10NVIDIA /NXP/TI等最新现货行情

行业头条俄罗斯政府建议公务车选购本土或中国品牌(路透社)中国SiC需求量将占全球40%(麦肯锡)预计2024年全球硅晶圆出货量将反弹8.5%(SEMI)汽车半导体器件市场将年增11.9%,2028年达840亿美元(Yole)预计Q4移动平台DRAM、NAND价格将继续上涨(TrendForce)中国电动汽车渗透率将从2022年29%增至2030年65%(IEA)日本拟与[详细]


2023-09瑶芯微1200V 30欧姆碳化硅功率MOSFET AKCK2M032WAMH

1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M032WAMH特点:高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素,符合RoHS(注1)应用程序•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKCK2M032WAMH DATASHEET电气特性图(注4[详细]


2023-09瑶芯微1200V 30欧姆碳化硅功率MOSFET AKCK2M030WAMH-A

1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M030WAMH-A特征:高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素,符合RoHS(注1)•具备合格的AEC-Q101和PPAP应用程序:•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKC[详细]


2023-0910倍利润!仅凭一个型号芯片年爆赚超130亿美元!

日前,在《金融时报》最近的一篇文章中,Nvidia 报告称,预计 2023 年将在全球范围内出货 550,000 个最新的 H100 GPU。对 GPU 的需求显然来自生成式 AI 热潮,但 HPC 市场也在争夺这些加速器。大部分 GPU 将流向美国科技公司,但英国《金融时报》指出,沙特阿拉伯已经购买了至少 3,000 个 Nvidia H100 GPU,阿联[详细]


2023-07IDC 谏早电子开发的HVIGBT驱动 VLA557-03R HVIGBT模组

本产品是能直接驱动3300V/600A级的內置1电路驱动。【目标IGBT模组】●3300V系列、~600A级  *CM450DA-66X  (三菱電機㈱製HVIGBT模组)  *CM600DA-66X  (三菱電機㈱製HVIGBT模组)外形●尺寸 83x150x21(mm)●外观连接图(三菱电机制造的LV100)特長●内置用于栅极驱动隔离式DC-DC转换器●最大[详细]


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