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2020-08MOS管知识科普:功率MOS管为何会被烧毁详解

在本文中颖特新小编主要解析功率mos管为何会被烧毁。mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪[详细]


2020-08MOS管替换原则及其他电子替换原则解析

本文主要是讲mos管替换原则及MOS管好坏判断,现来看看mos管替换原则及电子元件器件的替换原则。 近几年,电子产业外部环境变幻频繁,原厂并购与整合代理线、中美贸易战、元器件缺货轮番上演……产业不稳定因素增加,给电子产业供应链带来挑战。元器件替代成为热门话题,如何快速高效找到替代供应商,非常关键。[详细]


2020-08怎么做到MOS管电子开关实现多点控制

mos管开关电路MOS管开关电路是利用一种电路,是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与[详细]


2020-08MOS管D80N06替代产品-KND3306B规格书详解

MOS管D80N06替代产品KND3306B详细资料 1、MOS管D80N06替代产品KND3306B-特点RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V 提供无铅绿色设备 低Rds开启以最小化导电损耗 2、MOS管D80N06替代产品KND3306B-参数 3、MOS管D80N06替代产品KND3306B-封装图 4、MOS管D80N06替代产品KND3306B-规格书查看及下载规格书,请点击下图 [详细]


2020-08MOS晶体管的阈值电压及输出解析

MOS管 MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管,英文名metal oxide semiconductor,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 MOS管这个器件有两个电极,分别是漏极D和源极S,无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体[详细]


2020-08MOS管的实际应用详细解析

MOS管和三极管类似,只不过 MOS管是压控压型(电压控制),而三极管是流控流型(电流控制)。 至于MOS管的使用,N型与P型存在区别,对于应用,我们只需要知道: 1、对于N型MOS管,若G、S之间为高(电压方向G指向S,具体电平看具体MOS管 ),D、S(电压方向D指向S)之间就会导通,此时D、S间相当于一个很小的电阻[详细]


2020-08MOSFET开关电路类型集合与特性分析

MOSFET驱动电路为了帮助MOSFET最大化导通和关断时间,需要驱动电路。如果MOSFET需要相对较长的时间进出导通,那么我们就无法利用MOSFET的优势。这将导致MOSFET发热,器件将无法正常工作。MOSFET驱动器通常可以使用自举电路来产生电压,以将栅极驱动到比MOSFET电源电压更高的电压。实际上,MOSFET的栅极像驱动器[详细]


2020-08MOS管晶体管增强型知识图文详解

根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个[详细]


2020-08碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率详解

目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近开发的碳化硅MOSFET元件,为这个领域另外开闢出全新的可能性。主要的技术关键推手和应用限制 以反相器为基础的传动应用,最常见的拓扑就是以6个电源开关连接3个半桥接电桥臂。每一个半桥接电桥臂,都是以欧姆电感性负载(马达)上的硬开关换[详细]


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