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2018-10N9H30F51I

N9H30F51I系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin和216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：11组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器和高速USB 2.0 Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的[详细]

2018-10N9H30F51IEC

N9H30F51IEC系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠32 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供 216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含：11组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器、2组CAN, 2組10/100Mbps 以太网口和高速USB 2.0 Host/Device等，[详细]

2018-10N9H30K41I

N9H30K41I系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠16 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含9组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、16bit LCD控制器和高速USB 2.0 Host/Device 等，可以满足客户对弹性设计的需求。N9H30K[详细]

2018-10N9H30K41IEC

N9H30K41IEC系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz，堆叠16 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供128-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边功能包含9组UART、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、16bit LCD控制器、1组CAN, 10/100Mbps 以太网口和高速USB 2.0 Host/Device 等，可以满[详细]

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