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TH58NYG3S0HBaI6是一个1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+256)字节或64页或4096块。该设备具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：4352字节×[详细]
颖特新科技讯：2019年9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3DNAND闪存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台[详细]
根据外媒的报道，东芝内存公司（Toshiba Memory Corporation）已开始对业界首款UFS 3.0闪存嵌入式设备进行采样。 新产品系列采用了该公司最先进的96层BiCS FLASH 3D闪存，有三种容量可供选择：128GB，256GB和512GB。据介绍，东芝宣布推出业界首款采用超快速通用闪存（UFS）3.0版技术的嵌入式闪存芯片。新[详细]
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