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日经新闻3日报导，全球第2大NAND型快闪内存（Flash Memory）厂商东芝（Toshiba）将在2017年度采用被称为“纳米压印（Nano-imprint Lithography，NIL）”的新技术，生产使用于智能手机等产品的NAND Flash，藉此可让曝光工程（形成回路的工程）成本压低至采用现行技术的三[详细]
全球市场研究机构TrendForce及科技新报TechNews在31日于台北国际会议中心4楼贵宾室举办移动设备关键零部件与通讯技术研讨会。本次研讨会演讲嘉宾包含全球领先快闪内存储存解决方案厂商闪迪（SanDisk），以及高通、恩智浦等国际大厂。DRAMeXchange研究协理杨文得也和与会者深度解析2016下半年NAND Flash市场发[详细]
苹果新机下半年上市，也已开始针对Nand Flash、mobile RAM进行备货，推升需求提升，再加上供给已获得控制，内存模组厂商包括威刚、创见、宇瞻、广颖等可望迎内存产业环境好转，其中Nand Flash下半年更可望有缺货潮，推升价格可望有反弹空间。 以Nand Flash来看，苹果下半年将发布的iPhone 7，目前已开始备料[详细]
第一季全球NAND Flash市况持续受供过于求影响，渠道颗粒合约价下滑约10%；智能手机、平板电脑与笔记本电脑出货大幅衰退也让eMMC、用户级固态硬盘跌价幅度扩大至13~18%。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，在平均销售单价下滑幅度明显高于位出货量成长的情况下，第一季NAND Flash品牌商营[详细]
台湾封装厂小心！据传三星电子和SK海力士（SK Hynix）都在研发NAND Flash的“电磁波屏蔽”（EMI shielding）封装技术，三星更抢回iPhone的NAND Flash订单。 韩媒etnews 19日报导，三星曾是iPhone的NAND Flash供应商，两者合约在2012年告终，原因是三星不愿在NAND Flash封装过程中加入电磁波屏蔽。如今内存[详细]
上个月底武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地正式动工，在大基金的支持下该项目将投资240亿美元建设国内最大、最先进的存储器芯片基地。如此巨额的投资使得该项目争议不小，不过更应该注意的是国内公司这次进军存储芯片的起点不低，新建的12寸晶圆厂投产后直接生产3D NAND闪存，这可是当前闪存市场的大热门[详细]
日经新闻报导，SK海力士将在2025年以前打造一座新的内存芯片厂，加入由数据中心与个人计算机半导体需求成长所驱动的投资竞赛。海力士周一宣布计划投资15.5兆韩元（125亿美元）在南韩忠清北道清州厂旁，兴建这一座内存芯片新厂。该公司已经取得25万平方公尺的用地，并已和清州市政府交换备忘录。知情人士透露，海[详细]
相变存储器用于移动设备的解决方案相变存储器（PCM） 是一项突破性的类的内存 ，为您的设计提供了无与伦比的性能和效率相结合。一个高品质的用户体验是手机脱颖而出的关键因素。 我们的45纳米基于PCM的多芯片封装（MCP）实现更快的启动时间，更长的电池寿命和更好的可靠性功能，将您的设计除了。基于PCM-MCP的提[详细]
存储器封测重新洗牌，南茂在众强争夺订单中，成功获美光追单，并与矽品联手抢下日本存储器大厂东芝后段封测订单，本月成为东芝第三家后段封测联盟厂，是同时获美光和东芝两大厂新订单的大赢家，法人估南茂今年营收有望创新高，每股纯益4元（新台币，下同）起跳。据了解，东芝的NAND芯片订单是众家封测厂中的大肥[详细]
快闪存储器（英语：Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。与硬盘相比，闪存也有更佳[详细]
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