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本文主要是讲mos管替换原则及MOS管好坏判断，现来看看mos管替换原则及电子元件器件的替换原则。 近几年，电子产业外部环境变幻频繁，原厂并购与整合代理线、中美贸易战、元器件缺货轮番上演……产业不稳定因素增加，给电子产业供应链带来挑战。元器件替代成为热门话题，如何快速高效找到替代供应商，非常关键。[详细]
mos管开关电路MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与[详细]
MOS管D80N06替代产品KND3306B详细资料 1、MOS管D80N06替代产品KND3306B-特点RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V 提供无铅绿色设备 低Rds开启以最小化导电损耗 2、MOS管D80N06替代产品KND3306B-参数 3、MOS管D80N06替代产品KND3306B-封装图 4、MOS管D80N06替代产品KND3306B-规格书查看及下载规格书，请点击下图 [详细]
MOS管 MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metal oxide semiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体[详细]
MOS管和三极管类似，只不过 MOS管是压控压型（电压控制），而三极管是流控流型（电流控制）。 至于MOS管的使用，N型与P型存在区别，对于应用，我们只需要知道： 1、对于N型MOS管，若G、S之间为高（电压方向G指向S，具体电平看具体MOS管 ），D、S（电压方向D指向S）之间就会导通，此时D、S间相当于一个很小的电阻[详细]
MOSFET驱动电路为了帮助MOSFET最大化导通和关断时间，需要驱动电路。如果MOSFET需要相对较长的时间进出导通，那么我们就无法利用MOSFET的优势。这将导致MOSFET发热，器件将无法正常工作。MOSFET驱动器通常可以使用自举电路来产生电压，以将栅极驱动到比MOSFET电源电压更高的电压。实际上，MOSFET的栅极像驱动器[详细]
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个[详细]
目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器（inverter），但最近开发的碳化硅MOSFET元件，为这个领域另外开闢出全新的可能性。主要的技术关键推手和应用限制 以反相器为基础的传动应用，最常见的拓扑就是以6个电源开关连接3个半桥接电桥臂。每一个半桥接电桥臂，都是以欧姆电感性负载（马达）上的硬开关换[详细]
V-FET或功率场效应管（MOS管）知识 功率MOS管通常采用V型配置，如图所示。这就是为什么该元器件有时被称为V-MOS管或V-FET。 功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压[详细]
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