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2017-07AC0402BRNP09BN2R4规格书PDF/中文资料

原厂料号AC0402BRNP09BN2R4品牌国巨 | Yageo容量(Capacitance)2.4pF精度(Tolerance)±0.1pF额定电压(Voltage)50V材质(Material)NP0/-55℃~+125℃封装尺寸(Size)0402/1.0*0.5mm高度(Depth)0.5mm本站最小出货数量(Q)Q≥400+20C最小起订量(MOQ)10,000最小包装量(MPQ)10,000pcs 规格书A[详细]


2017-07AC0402BRNP09BN1R5规格书PDF/中文资料

原厂料号AC0402BRNP09BN1R5品牌国巨 | Yageo容量(Capacitance)1.5pF精度(Tolerance)±0.1pF额定电压(Voltage)50V材质(Material)NP0/-55℃~+125℃封装尺寸(Size)0402/1.0*0.5mm高度(Depth)0.5mm本站最小出货数量(Q)Q≥400+20C最小起订量(MOQ)10,000最小包装量(MPQ)10,000pcs规格书AC系列(车[详细]


2017-07AC0402BRNP09BN1R2规格书PDF/中文资料

原厂料号AC0402BRNP09BN1R2品牌国巨 | Yageo容量(Capacitance)1.2pF精度(Tolerance)±0.1pF额定电压(Voltage)50V材质(Material)NP0/-55℃~+125℃封装尺寸(Size)0402/1.0*0.5mm高度(Depth)0.5mm本站最小出货数量(Q)Q≥400+20C最小起订量(MOQ)10,000最小包装量(MPQ)10,000pcs 规格书A[详细]


2017-07AC0402BRNP09BN1R0规格书PDF/中文资料

原厂料号AC0402BRNP09BN1R0品牌国巨 | Yageo容量(Capacitance)1pF精度(Tolerance)±0.1pF额定电压(Voltage)50V材质(Material)NP0/-55℃~+125℃封装尺寸(Size)0402/1.0*0.5mm高度(Depth)0.5mm本站最小出货数量(Q)Q≥400+20C最小起订量(MOQ)10,000最小包装量(MPQ)10,000pcs规格书 库存状[详细]


2017-07ROHM USB Type-C PD评估板BM92AxxMWV-EVK-001系列

全球知名半导体制造商ROHM电子已经开始在网上销售6款USB Type-C PD评估板“BM92AxxMWV-EVK-001”系列,这是通过连接信息设备和周边设备的USB Type-C连接器*1)实现“USB Power Delivery(简称USBPD)”的系列产品。USBPD在以往仅可支持15W以内供电的USB Type-C设备间,可实现高达100W(20V / 5A)的供受电。因此,即[详细]


2017-07BLM15PD300SN1D供应|BLM15PD300SN1D规格书

规格 形状SMD尺寸代码(单位为mm)1005尺寸代码(单位为inch)0402长度1.0mm长度公差±0.05mm宽度0.5mm宽度公差±0.05mm厚度0.5mm厚度公差±0.05mm额定电流2.2A工作温度范围-55℃ to 125℃质量(标准值)0.001g电路数目1直流电阻[详细]


2015-06钰创Type-C传输线控制IC EJ901取得USB-IF协会E-Marker认证

钰创旗下USB Type-C E-Marker传输线控制IC EJ901已通过国际USB-IF协会认证;公司表示,该颗IC可支援USB PD 2.0,监控回报传输 ​​线长度、传输两端之I/O介面、所承受之安培数及电力、所负载之传输速率等,提供信赖度及可靠度,让USB Type-C E-Marker传输线使用上安全无虑;公司紧跟国际USB-IF开发脚[详细]


2015-03Winbond W949D2DBJA

W949D2DBJAThis is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits产品特点Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V Data width: x32 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz Standard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD Pr[详细]


2015-03Winbond W949D2DBJX

W949D2DBJXThis is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits产品特点Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V Data width: x32 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz Standard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD Pr[详细]


2015-03Winbond W949D6DBHA

W949D6DBHAThis is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 4M words x 4 banks x 16bits产品特点Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V Data width: x16 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz Standard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD Pr[详细]


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