S_颖特新科技

最热知识

2020-06武汉新芯50nm代码型闪存芯片量产，逼近物理极限

据武汉新芯集成电路制造有限公司消息，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已于近日全线量产。目前，在全球NOR Flash存储芯片领域，业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，已逼近此类芯片的物理极限，无论是存储单元面积还是存储密度，均达到国际先进水平。据了解，武汉新芯50[详细]

关键字： K4T1G164QG-BCE7 K4T1G164QG-BCF7 SAMSUNG DDR2PartnumberProduction StatusDensityOrganizationPackageK4T1G084QG-BCF8Mass Production1Gb128Mx860FBGAK4T1G084QG-BCE7Mass Production1Gb128Mx860FBGAK4T1G084QG-BCF7Mass Production1Gb128Mx860FBGAK4T1G084QG-BCE6Mass Production1Gb128Mx860FBGAK[详细]

2020-06ToShiba UFS 2.0系列

关键字： THGLF2G8J4LBATR THGLF2G9J8LBATR Toshiba UFS 2.0系列CapacityPart NumberUFSMax Data RateSupply VoltageOperating TemperatureVersion(MB/s)VCCVCCQVCCQ2(℃) (V)(V)(V) 32 GBytesTHGLF2G8J4LBATR211662.7 to 3.61.1 to 1.31.70 to 1.95-25 to 8564 GBytesTHGLF2G9J8LBATR211[详细]