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2019-08三星半导体SamSung常用eUFS型号列表大全

三星半导体的eUFS有哪些呢？以下是颖特新工程师为客户整理的SamSung 常用eUFS 型号列表，可方便客户选型。Part NumberVersionDensityVoltagePackage SizeKLUBG4G1ZF-B0CPUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUBG4G1ZF-B0CQUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUCG2K1EA-B0C1UFS 2.164GB1.8 / 3.3[详细]

2019-08美光MT40A2G16SKL-062E DDR4-3200

32GB（Twindie™）DDR4SDRAM使用Micron的16GBDDR4SDRAM芯片；两个X8S组合以制造一个x16。它使用与单声道x16类似的信号，并且有一个额外的ZQ连接以实现更快的ZQ校准X8寻址所需的BG1控制。有关未包含在本文档中的规格，请参阅Micron的32GBDDR4SDRAM数据表（x8选项）。基础零件号MT规范40A2G8与Twindie制造部[详细]

2019-08美光MT40A2G4SA-062E DDR4-3200

ddr4 sdram是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为x16配置的8行dram和x4和x8配置的16行dram。ddr4 sdram采用8n预取结构实现高速操作。8n预取体系结构与一个接口相结合，该接口设计用于在I/O管脚处每个时钟周期传输两个数据字。ddr4 sdram的单次读写操作包括内部dram核心的单次8n位宽的四时钟数据传输和在i/o[详细]