NAND Flash解决方案架构主流分为:raw NAND、ClearNAND和eMMC三种,各有不同的架构、界面和终端应用。生产厂商将会视不同客户和不同产品应用的需求,而灵活运用raw NAND、ClearNAND和eMMC 这3种NAND Flash解决方案。raw NANDraw NAND即是一般的NAND Flash内存芯片,所有的ECC除错机制(Error Correcting Code)、[详细]
高速SRAM芯片一般是指异步快速SRAM芯片,读取速度在8/10/12ns之间,大多数用于工业级应用,高速设备应用,服务器,金融系统等行业,对于高速SRAM芯片要如何选型?颖特新工程师建议一般考虑以下几个:1、高速SRAM存储器容量容量是衡量 SRAM存储数据的能力大小,它们主要的单位换算方式如下:1.1常用的单位有:bi[详细]
一、什么是SRAM存储器?SRAM存储器是一种需要在支持供电的条件下才可以存储数据的静态随机存储器,一般在高性能产品中是关键的部分,一般来说SRAM存储器是分为两种,一种是异步SRAM,另一种是同步SRAM。同步型sram采用一个输入时钟来启动至存储器的所有事务处理(读、写、取消选定等)。而异步型sram则并不具备时[详细]
PSRAM是一种伪静态SRAM存储器,它具有类似SRAM的接口协议:给出地址、读、写命令,就可以实现存取,不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新,接口简单;PSRAM的内核是DRAM架构:1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell,而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合,他可以实现类S[详细]
PSRAM,全称Pseudo static random access memory,属于伪静态SRAM器件,内置内存颗粒和SDRAM的颗粒类似,器件外部接口和SRAM相似,不需要跟SDRAM一样复杂的控制器和刷新机制可以采用跟SRAM一样的接口模式外扩PSRAM器件。PSRAM芯片容量包括1Mbytex8,2Mbytex8,4Mbytex8,8Mbytex8四种,不能够与SDRAM的高密度容[详细]
SDRAMH57V2562GTR-75C 256M(16*16)K4S561632N-LC60 256M(16*16) DDRK4H561638N-LCCC 256Mb<16M*6> H5DU2562GTR-E3C 256Mb<16M*6> K4H511638J-LCCC &nb[详细]

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