你好!欢迎来到深圳市颖特新科技有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 内容聚合 >> SDRAM
内容列表

2020-06SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM 15Q4

关键字: H5TQ4G63CFR-TE [详细]


2020-06Hynix DDR2 SDRAM 15Q4

关键字: DDR2 H5PS1G63KFR-S5 [详细]


2020-06Hynix GDDR5 SDRAM 15Q4

关键字: GDDR5 [详细]


2020-06512MB DDR SDRAM SO-DIMM选型指南

关键字: 512MB DDR SDRAM SO-DIMM [详细]


2020-06SK Hynix 2Gb DDR3 SDRAM选型指南

关键字: H5TQ2G63GFR-TEC [详细]


2020-06SAMSUNG DDR3 SDRAM 17Q2

关键字: SAMSUNG DDR3 SDRAM COMPONENTS[详细]


2020-06SAMSUNG 17Q2 DDR4 SDRAM

关键字: SAMSUNG 17Q2 DDR4 SDRAM COMPO[详细]


2019-10SDR、DDR、QDR存储器的比较

SDR:Single Data Rate, 单倍速率DDR:Dual Data Rate, 双倍速率QDR:Quad Data Rate, 四倍速率DRAM:Dynamic RAM, 动态随机存储器, 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据SRAM:Static RAM, 静态随机存储器, 静态随机存储器,不需要刷新电路,数据不会丢失SDRAM: Synchronous DRAM, 同步状态随机[详细]


2019-07SDRAM规格、引脚介绍

芯片和模块记忆芯片DDR-200:DDR-SDRAM 记忆芯片在 100MHz 下运行DDR-266:DDR-SDRAM 记忆芯片在 133MHz 下运行DDR-333:DDR-SDRAM 记忆芯片在 166MHz 下运行DDR-400:DDR-SDRAM 记忆芯片在 200MHz 下运行(JEDEC制定的DDR最高规格)DDR-500:DDR-SDRAM 记忆芯片在 250MHz 下运行(非JEDEC制定的DDR规格)DDR-600:DDR-SD[详细]


2019-07SDRAM同步动态随机存取内存的工作原理

SDRAM之所以成为DRAM就是因为它要不断进行刷新(Refresh)才能保留住数据,因为刷新(Refresh)是DRAM最重要的操作。那么要隔多长时间重复一次刷新,目前公认的标准是,存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms(毫秒,1/1000秒),也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是:64ms/行数量。我们在看内存规[详细]


共 60 条记录 4/6 页 首页上一页123456下一页尾页
联系方式

0755-82591179

邮箱:ivy@yingtexin.net

地址:深圳市南山区桃源街道平山社区平山一路2号南山云谷创业园二期11栋410-411

Copyright © 2014-2026 颖特新科技有限公司 All Rights Reserved.  粤ICP备14043402号-4