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2020-06意法半导体发布面向高电压应用的新STSPIN32 BLDC电机驱动器

中国,2020年2月11日——意法半导体STSPIN32F0系列电机控制系统级封装推出四款新产品,可简化包括有线电动工具、驱动装置、泵、风扇和压缩机等市电供电家用电器和工业设备的开发设计过程。 250V的STSPIN32F0251和STSPIN32F0252与600V的STSPIN32F0601和STSPIN32F0602集成了三[详细]


2020-06武汉新芯50nm代码型闪存芯片量产,逼近物理极限

据武汉新芯集成电路制造有限公司消息,其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash)芯片已于近日全线量产。目前,在全球NOR Flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术,已逼近此类芯片的物理极限,无论是存储单元面积还是存储密度,均达到国际先进水平。据了解,武汉新芯50[详细]


2020-04GD25VQ127C SPI Nor Flash

GD25VQ127CSIG 128Mbit  SOP8 208mil GD25VQ127CSIS GD25VQ127CVIG 128Mbit  VSOP8 208mil GD25VQ127CVIS GD25VQ127CPIG 128Mbit  DIP8 300mil GD25VQ127CPIS GD25VQ127CFIG 128Mbit  SOP16 300mil GD25VQ127CF IS GD25VQ127CFIR GD25VQ127CWIG 128Mbi[详细]


2019-11意法半导体推出STSPIN模块,为MikroElektronika Fusion forArm? Ecosystem开发

中国,2019年10月10日——意法半导体(ST)与ST授权合作伙伴MikroElektronika合作,开发出四款Click board™开发板,将STSPIN电机驱动器的优势扩展到STM32开发板以外的开发平台,让使用MikroElektronika原型板以及其它板载mikroBUS™插座的系统的用户也能享受STSPIN电机驱[详细]


2019-09华邦W25QXX SPI Flash使用笔记

相较于EEPROM而言,SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例,16Mb也就是2MB的空间,是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍,价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度,W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz,这是IIC总线望尘莫及的,而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]


2019-07意法半导体STSPIN32单Shunt BLDC电机控制器可 大量节省空间、时间和物料成本

中国,2019年5月7日——意法半导体STSPIN32可编程电机控制器/驱动器产品家族新增一款极具性价比的相电流单Shunt检测电机控制芯片--- STSPIN32F0B SiP (系统级封装)。这款理想的全合一新电机控制器可满足日益增长的电池供电工具的需求。通过集成一个电流检测运算放大器,STSPIN32F0B节省了三相B[详细]


2019-07CAN、I2S、I2C、SPI、SSP总线的介绍和他们之间的区别

一、SPI总线串行外围设备接口SPI(serial peripheral interface)总线技术是Motorola公司推出的一种同步串行接口,Motorola公司生产的绝大多数MCU(微控制器)都配有SPI硬件接口,如68系列MCU。SPI 用于CPU与各种外围器件进行全双工、同步串行通讯。SPI可以同时发出和接收串行数据。它只需四条线就可以完成MCU与[详细]


2019-07Winbond W25N04KV SPI NAND FLASH

PPage Read Time with ECC Enable: 50usPage Program Time: 250us(typ.)Block Erase Time: 2ms(typ.)Support OTP Memory Area[详细]


2019-07Winbond W25M02GV SPI NAND FLASH

Page Read Time with ECC Enable: 50usPage Program Time: 250us(typ.)Block Erase Time: 2ms(typ.)Support OTP Memory Area[详细]


2019-07Winbond W25M02GW SPI NAND FLASH

Page Read Time with ECC Enable: 50usPage Program Time: 250us(typ.)Block Erase Time: 2ms(typ.)Support OTP Memory Area[详细]


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