SRAM_颖特新科技

最热知识

2024-04大联大推出基于onsemi、NXP以及ams OSRAM汽车前照大灯方案

2024年4月16日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCV78702、NCV78723、NCV70517芯片、恩智浦（NXP）S32K144 MCU以及艾迈斯欧司朗（ams OSRAM）KW H2L531.TE、KW CELNM2.TK LED产品的汽车前照大灯方案。图示1-大联大世平推出基于onsemi、N[详细]

2019-07高速SRAM选型指南|高速SRAM如何选型？

高速SRAM芯片一般是指异步快速SRAM芯片，读取速度在8/10/12ns之间，大多数用于工业级应用，高速设备应用，服务器，金融系统等行业，对于高速SRAM芯片要如何选型？颖特新工程师建议一般考虑以下几个：1、高速SRAM存储器容量容量是衡量 SRAM存储数据的能力大小，它们主要的单位换算方式如下：1.1常用的单位有：bi[详细]

2019-07什么是SRAM存储器？同步异步SRAM的概念等

一、什么是SRAM存储器？SRAM存储器是一种需要在支持供电的条件下才可以存储数据的静态随机存储器，一般在高性能产品中是关键的部分，一般来说SRAM存储器是分为两种，一种是异步SRAM，另一种是同步SRAM。同步型sram采用一个输入时钟来启动至存储器的所有事务处理(读、写、取消选定等)。而异步型sram则并不具备时[详细]

2019-07PSRAM与SRAM、DRAM的比较与优势

PSRAM是一种伪静态SRAM存储器，它具有类似SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，接口简单；PSRAM的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类S[详细]

2019-07供应EMLSI(JSC)PSRAM芯片EM7644SU16ASZP

PSRAM，全称Pseudo static random access memory，属于伪静态SRAM器件，内置内存颗粒和SDRAM的颗粒类似，器件外部接口和SRAM相似，不需要跟SDRAM一样复杂的控制器和刷新机制可以采用跟SRAM一样的接口模式外扩PSRAM器件。PSRAM芯片容量包括1Mbytex8，2Mbytex8，4Mbytex8，8Mbytex8四种，不能够与SDRAM的高密度容[详细]

2019-05SRAM、DRAM、SDRAM等存储器的区别？

特点简介：SRAM ：静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。 DRAM：动态RAM，需要刷新，容量大。 SDRAM ：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。 DDR SDRAM：双通道同步动态RAM，需要刷新，[详细]

2018-05什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但[详细]

2018-05SRAM与SDRAM有什么区别？

SDRAMSDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。目前的168线64bit带宽内存基本[详细]

2018-05单片机SRAM扩展实例

扩展62C64静态RAM电路的连接如图8-3所示。主要有下列控制信号。存储器输入信号接单片机（P3.7）读输出信号。存储器写输入信号接单片机（P3.6）写输出信号。ALE连接方法与程序存储器相同。使用时应注意，访问内部和外部存储器时，应分别使用MOV和MOVX指令。外部数据存储器的访问：图8-3 扩[详细]

2017-08Winbond W956D6KBK pSRAM

W956D6KBKThe is a 64M bit CellularRAM™ compliant products, organized as 4M word by 16 bite; high-speed, CMOS pseudo-static random access memories developed for low-power, portable applications.产品特点Supports asynchronous and burst operations VCC, VCCQ Voltages:1.7V–1.95V VC[详细]

共 19 条记录 1/2 页上一页 1 2 下一页尾页