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意法半导体的MasterGaN4功率封装集成了两个具有225mΩRDS（on）的对称650V GaN功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护，可简化高达200W的高效功率转换应用的设计。意法半导体的MasterGaN系列的最新成员，MasterGaN4消除了复杂的栅极控制和电路布局挑战，从而简化了使用宽带隙GaN功率半导体的设计。通过输入[详细]
NS32F103X8和NS32F103XB标准型MCU系列使用高性能的ARM Cortex-M3 32 位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器（高达128K字节的闪存和20K字节的SRAM），丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。其中包含2个12位ASDC、3个通用16位定时器和1个PWM定时器，此外，还包含标准和先进[详细]
意法半导体推出一款75V以下低压工业应用高集成度三相半桥驱动器IC，这是一个节省空间、节能高效的电机控制解决方案，适用于控制电动自行车、电动工具、泵、风扇、轻型机械、游戏机和其他设备内的三相无刷电机。STDRIVE101内置三个用于驱动外部N沟道MOSFET的半桥驱动器，每个驱动器的最大拉电流和灌电流都是600m[详细]
意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，ST[详细]
意法半导体 STM32G0* 系列Arm® Cortex®-M0+ 微控制器 (MCU)新增多款产品和更多新功能，例如，双区闪存、CAN FD接口和无晶振USB全速数据/主机支持功能。对于注重预算的应用新的 STM32G050 超值产品线、STM32G051 和 STM32G061 主流产品线增加了丰富的模拟功能和最大容量18KB 的 RAM存储器，[详细]
基于MasterGaN平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻 (RDS(on))分别是150mΩ和225mΩ，每个晶体管都集成一个优化的栅极驱动器，使GaN晶体管像普通硅器件一样[详细]
意法半导体为AMOLED 显示器新开发的高集成度电源管理芯片 (PMIC)兼备低静态电流和高灵活性，可延长便携式设备的电池续航时间。STMP30PMIC的输入电压范围是2.9V至4.8V，内置三个DC-DC变换器，为智能手机和其他便携式设备的AMOLED显示屏提供所需的全部电源轨。550mA VOUT1升压变换器的输出电压是可调的，不同于把[详细]
全球各国在陆续实现“碳达峰”目标之后，相继发布了本国实现“碳中和”的具体时间规划，勾画出一个“无碳未来”的美好蓝图。在净零排放不断被写入各国法律的情况下，减小能源损耗，提升系统效率已经成为各行业的头等大事。在政策红利下，智能电网迎来历史性的发展机遇。预计到2024年，全球智能电网的市场规模将[详细]
全球领先的蜂窝通信模组和GNSS定位模组供应商移远通信正式推出两款纳秒级高精度GNSS授时模组L26-T和LC98S。这两款模组均采用意法半导体的Teseo Ⅲ平台研发，支持全星座卫星信号接收，可以为全球通信基站、金融服务、电力系统、铁路调度等行业应用提供精密授时服务。时间在我们的日常生活中扮演着重要的角色。“[详细]
新推出的SLLIMM大功率产品简化了设计，节省了电机驱动平台(最高5 kW)的物料成本。STGIK50CH65T是最新推出的紧凑型大功率双列直插式智能功率模块(IPM)，属于SLLIMM（小型低损耗智能模封模块） High Power 系列。新推出的SLLIMM HP 650 V/50 A产品在设计时采用全新内部驱动器配置(具有沟槽栅场截止IGBT， 加上一个[详细]
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