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谏早电子有限公司宣布, 將為薄型Duel配置IGBT模块生產适配器单元VLB520-01R。产品内置栅极/发射极总布线长度调整电路, 对应1200V/1700V, ～800A的薄型Duel配置IGBT模块组, 使用简单高效的TLAC连接方式。令IGBT可轻松实现并联。薄型Duel配置IGBT模块 + VLB520现时使用于产业设备上的2in1类型中容量级别模块中,主[详细]
据BusinessKorea报道，三星已开始减产NAND闪存，主要集中在其位于西安的存储半导体工厂。据市调公司TrendForce 报道，三星将在今年第二季度将其NAND产能调整为每月62万片12英寸晶圆。与去年第四季度相比，该数字减产了5.34%。特别是在第二季度，三星在西安半导体工厂将大幅减产。就西安一厂而言，预计将减产至每[详细]
导语：据台系设备厂商透露，ASML近期由于销往中国大陆设备受限、存储、晶圆代工等客户大砍资本支出、缩减订单，最重要是大客户台积电也大砍逾4成EUV设备订单及延后拉货时间，2024全年业绩将明显承压。据台媒电子时报报道，供应链传出，2022年中国大陆市场占ASML整体营收比重约14%，荷兰加入美国对中国大陆出口半[详细]
楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）今日宣布欢迎 Kudan 和 Visionary.ai 加入 Tensilica 软件合作伙伴生态系统，他们将为 Cadence Tensilica Vision DSP 和 AI 平台带来业界领先的同步与地图构建 （SLAM）和 AI 图像信号处理器（ISP）解决方案。Tensilica Vision 和 AI 软件生态系统十分广[详细]
近日，半导体海外大厂动态频频，首先，在扩产上，京瓷斥资4.7亿美元在日本建芯片材料工厂，蔡司SMT扩产DUV产能，NXP确认与台积电和格芯讨论去印度建厂。另外，日本计划增加对Rapidus的支持，三星电子计划开发下一代低温焊料，并且与AMD宣布延长授权协议。1京瓷：拟投资约4.7亿美元在日本建芯片材料工厂据外媒消[详细]
光大证券近期发布的研报中指出，ChatGPT开启了AI发展新浪潮，AI技术将渗透到物联网时代云、边、端和应用的各个层面，与IoT（物联网）设备进行深度融合。AIoT时代拥有海量终端，RISC-V芯片架构有望深度受益。近日，在平头哥举办的首届玄铁RISC-V生态大会上, 副总裁孟建熠透露，平头哥已基本完成国际及国内主流操[详细]
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）今日宣布，推出OSLON UV 3535系列中功率UV-C LED，使用寿命更长、输出功率更大且系统集成更容易，进一步满足客户需求。OSLON UV 3535 LED拥有紧凑的设计、领先的效率和卓越的品质，是水净化、空调系统消杀等消费和工业应用的[详细]
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 产品 TOLL 封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 6[详细]
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于微源半导体（LPS）LP7810QVF、LP5305QVF、LPB1003B5F芯片和中科蓝讯（Bluetrum）AB132A MCU以及艾为电子（awinic）AW86504STR霍尔传感器的无线耳机充电仓方案的TWS耳机充电仓方案。图示1-大联大世平基于微源、中科蓝讯和艾为产[详细]
MUG51TB9AE 为内建 Flash 的 1T 8051 内核低功耗微控制器，操作频率为 7.3728 MHz，内建 16 KB Flash 内存以及 1 KB SRAM 与 4 KB LDROM，工作电压范围 1.8V 至 5.5V，工作温度范围 - 40°C ~ 105°C，MUG51TB9AE 支持在上电后到 Flash 内存初始化完成前功耗约为 200 μA，其低功耗特性使其很适合用于从线圈磁场[详细]
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