MOS管 50N06 50A/60V产品介绍 KIA50N06C是一种N沟道增强型的Mosfet场效应晶体管,使用了KIA半导体的LV Mosfet技术。改进的工艺和内部结构特别适合最小化通态电阻,提供优越的开关性能。这种装置广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理等领域。 MOS管 50N06 50A/60V产品参数 MOS管 50N06 50A/60V产品封装 MOS管[详细]
MOS管 3008 120A/85V产品规格书详情 免费送样 技术支持 原厂直销 MOS管 3008 120A/85V产品参数详情 MOS管 3008 120A/85V产品封装图 MOS管 3008 120A/85V产品规格书 查看规格书,请点击下图。 MOS管 3008 120A/85V原厂介绍 选择到一款正确的MOS管,[详细]
MOS管 2708 160A/80V参数详情、封装、规格书详情 免费送样 MOS管 2708 160A/80V产品特点 专有的新型沟槽技术 RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化 MOS管 2708 160A/80V产品参数 MOS管 2708 160A/80V产品封装图 MOS管 2708 160A/[详细]
MOS管 9150 40A/500V原厂优势 1、我们愿意为客户做产品调整 2、提高客户产品技术保密性与性价比 3、拥有高效反应的设计团队 4、拥有设计与制造一体化服务 MOS管 9150 40A/500V产品特性 先进高级的平面工艺 RDS(ON),typ.=88mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化 坚固的多晶硅栅结构 选择到一款正确的MOS管,可以[详细]
MOS管 3112 110A/120V原厂(参数、封装、价格)免费送样 品质保证 MOS管 3112 110A/120V产品特性 采用CRM(CQ)先进的沟槽技术 极低通阻RDS(on) 符合JEDEC标准 RDS(on)=7mΩ(typ.)@VGS=10V MOS管 3112 110A/120V产品封装图 MOS管 3112 110A/120V产品参数 [详细]
MOS管 3320 90A/200V规格书参数详情 原厂直销 免费送样 MOS管 3320 90A/200V产品特性 专用的新平面技术 RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化 MOS管 3320 90A/200V产品封装图 MOS管 3320 90A/200V产品参数详情 MOS管 3320 90[详细]
800V MOS管选型表-MOS管产品信息及优质MOS管品牌推荐 800V MOS管-高压 MOS管型号表 Part Number ID(A) BVDSS(v) Typical RDS(ON)@60% [详细]
MOS管 400V选型 Part Number ID(A) BVDSS(v) Typical RDS(ON)@60% ID(Ω) MAX RDS(ON)@60% ID(Ω) ciss pF KNX9130A 40 300 0.11 0.13 3100 KNX3730A 50 300 0.05 0.065 3400 KIA6035A 11 350 0.38 0.48 844 KNX4540A 6 400 0.8 1 490 KNX6140A 10 400 0.35 0.5 1254 以上是MOS管 400V选型参数表,选择[详细]
MOS管 4810 9A/100V规格书 品牌推荐 MOS管原厂直销 免费送样 MOS管 4810 9A/100V产品特性 RDS(ON)=140mΩ(Typ.)@VGS=10V N沟道增强型,逻辑电平5V Pb-free镀铅;通过无铅认证 MOS管 4810 9A/100V产品参数 MOS管 4810 9A/100V产品封装图 MOS管 4810 [详细]

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