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2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00是一个3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0是一个3.3V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×6[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG3S0HBAI6

TH58NVG3S0HBAI6是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20是一个单一的3.3V 16 Gbit(18，253，611，008位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NANDE2PROM)，组织为(4096256)字节64页8192块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作以单个块单元(25[详细]

2019-09东芝NAND闪存：TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0是一个单一的3.3V 16 Gbit(18，253，611，008位)NAND电可擦除和可编程只读存储器(NANDE2PROM)，组织为(4096256)字节64 Pages8192块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作以单个块单[详细]

2019-08美光MT40A2G8VA-062E DDR4-3200

ddr4 sdram是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为x16配置的8行dram和x4和x8配置的16行dram。ddr4 sdram采用8n预取结构实现高速操作。8n预取体系结构与一个接口相结合，该接口设计用于在I/O管脚处每个时钟周期传输两个数据字。ddr4 sdram的单次读写操作包括内部dram核心的单次8n位宽的四时钟数据传输和在i/o[详细]

2019-08美光MT40A2G8VA-062E IT DDR4-3200

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