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如需了解详细产品性能参数，请点击查看产品资料：5.4V系列PDF规格书型号Part number工作电压(V)Operating voltage容量(F)Capacitance内阻（mΩ）尺寸(mm)W×L×HESR(mΩ,@1kHz)DCVEC 5R4 504 QG5.4V0.5≤ 190mΩ2208.5*17*15.5VEC 5R4 754 QG0.75≤ 110mΩ1458.5*17*22VEC 5R4 155 QG1.5≤ 110mΩ1458.5*17*22V[详细]
如需了解详细产品性能参数，请点击查看产品资料：5.0V系列PDF规格书型号Part number工作电压(V)Operating voltage容量(F)Capacitance内阻（mΩ）尺寸(mm)W×L×HESR(mΩ,@1kHz)DCVEC 5R0 754 QG5V0.75≤ 250mΩ3758.5*17*22VEC 5R0 155 QG1.5≤ 300mΩ4508.5*17*22VEC 5R0 255 QA2.5≤ 240mΩ3608.5*17*27VEC 5[详细]
韩国VINA的3V系列法拉电容是业界单体耐压最高的法拉电容，目前有机系列的法拉电容单体最高耐压正常是2.5V 2.7V，更高电压的法拉电容都是采用串联的方式组合而成，VINA的法拉电容单体最高电压已经达到3.0V，虽然只有一点点进步，但这已经是法拉电容界技术的极大突破，为法拉电容的实际应用又向前推进了一大步，目[详细]
如需了解详细产品性能参数，请点击查看产品资料：2.7V系列PDF规格书型号Part number工作电压(V)Operating voltage容量(F)Capacitance内阻（mΩ）尺寸SIZE(mm)ESR(mΩ,@1kHz)DCVEC 2R7 105 QG2.7V1≤ 90mΩ1108(Φ)*13(H)VEC 2R7 155 QG1.5≤ 50mΩ658(Φ)*20(H)VEC 2R7 305 QG3≤ 50mΩ658(Φ)*20(H)VEC 2R7 50[详细]
型号Part number工作电压(V)Operating voltage容量(F)Capacitance内阻（mΩ）尺寸SIZE(mm)ESR(mΩ,@1kHz)DCVEC 2R5 155 QG2.5V1.5≤ 120mΩ1808(Φ)*20(H)VEC 2R5 305 QG3≤ 140mΩ2108(Φ)*20(H)VEC 2R5 505 QA5≤ 120mΩ1808(Φ)*25(H)VEC 2R5 505 QG5≤ 110mΩ16510(Φ)*20(H)VEC 2R5 705 QG7≤ 80mΩ12010([详细]
2.3V系列法拉电容具有体积小，容量大的特点，最高具有15万次的充放电使用寿命，广泛应用于太阳能道钉灯，太阳能草坪灯，太阳能交通指示灯等场合。在道钉灯产品中，使用法拉电容替代原有的电池，可大大延长产品的使用寿命，降低产品的维护成本，在出口中东、非洲的太阳能道钉灯产品中，法拉电容已经成为客户指定[详细]
This is a 2Gb Low Power DDR2 SDRAM organized as 16M words x 8 banks x 16bits产品特点Power supply VDD1 = 1.7V~1.95V、VDD2/VDDCA/VDDQ = 1.14V~1.30V Data width: x16 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 400MHzStandard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mod[详细]
This is a 2Gb Low Power DDR2 SDRAM organized as 8M words x 8 banks x 32bits产品特点Power supply VDD1 = 1.7V~1.95V、VDD2/VDDCA/VDDQ = 1.14V~1.30V Data width: x32 Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 400MHzStandard Self Refresh Mode PASR、ATCSR、Power Down Mode[详细]
This is a 2Gb Low Power DDR2 SDRAM organized as 16M words x 8 banks x 16bits产品特点Power supply VDD1 = 1.7V~1.95V、VDD2/VDDCA/VDDQ = 1.14V~1.30VData width: x16Clock rate : up to 533MHzProgrammable burst lengths: 4, 8, or 16Eight internal banks for concurrent operationPartial Array Self-[详细]
This is a 2Gb Low Power DDR2 SDRAM organized as 8M words x 8 banks x 32bits产品特点Power supply VDD1 = 1.7V~1.95V、VDD2/VDDCA/VDDQ = 1.14V~1.30VData width: x32Clock rate : up to 533MHzProgrammable burst lengths: 4, 8, or 16Eight internal banks for concurrent operationPartial Array Self-R[详细]
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