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新一代DDR4与上一代DDR3内存相比，新一代 DDR4 内存性能有了大幅度提升，而且功耗还降低了不少。更让大家兴奋的是，目前它的价格和 DDR3 相差无几。这难免令新装机用户心动。但是首先非常遗憾的告诉大家，DDR3 与 DDR4 内存相差较大，从外观到参数都是绝对的变化，也不互相兼容。DDR4 内存条每次内存升级换代时[详细]
一、基本特性容量256Mb，最小的组织单位是页每个页256个字节，可进行页编程(一次写256个字节)；16个页组成4KB的扇区，可进行扇区擦除，128个扇区组成32KB块，64KB的组，可以整片擦除。256有8192个扇区和512个块。 256支持标准的SPI接口，2/4线SPI，SPI频率最大104MHz，64位唯一序列号[详细]
相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]
本文主要介绍如何对Nand Flash进行测试，适用与华邦品牌，也适用其它同行品牌。FT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、[详细]
W25Q80(SPI)产品特性：W25Q80是台湾华邦电子（Winbond）生产的8M-bit串列flash晶片。主要特性有：工作电压：2.5 ~ 3.6 V功耗：读写（active）时4mA，低功耗（power-down）时<1μA容量：8M-bit/1M-byte，包含4096个页（每页大小256位元组）介面：Standard/Dual/Quad SPI，支援时钟频率最高104MHz支援以4/32/6[详细]
DDR3内存条和eMMC存储器区别： 1. 存储性质不同；2. 存储容量不同 ；3. 运行速度不同；4. 用途不同。具体区别如下：1、存储性质不同：eMMC是非易失性存储器，不论在通电或断电状态下，数据都是可以存储的，而DDR3内存是易失性存储器，断电同时，数据即丢失。2、存储容量不同：eMMC的存储容量要比DDR3内存[详细]
SPI，是英语Serial Peripheral interface的缩写，顾名思义就是串行外围设备接口。SPI接口主要应用在 EEPROM，FLASH，实时时钟，AD转换器，还有数字信号处理器和数字信号解码器之间。SPI总线系统是一种同步串行外设接口，可以使MCU与外围设备以串行方式进行通信。SPI flash是串行通信接口的NOR FLASH。NOR-FLASH[详细]
相较于EEPROM而言，SPI Flash的存储空间简直就是打开了一个新世界。以W25Q16为例，16Mb也就是2MB的空间，是AT24C08芯片的1KB空间的2048倍，价格也没有相差很多。同时使用SPI总线可以实现更高的读写速度，W25Qxx的SPI总线可以达到80MHz，这是IIC总线望尘莫及的，而且我比较喜欢用的STM32单片机的IIC总线总是让人[详细]
先介绍一下norflash .norflash 是一个容量比较小的内存相比nandflash ,但是比nandflash的质量好，不会有坏块，也就不会有数据丢失。所以可以用来存放一下不予许出错的数据。nandflash 可以存放海量数据如视频等。我们用的的norflash是2M大小的。可以直接读，但不可以直接写。如果要写的话，先要解锁写操作，解锁[详细]
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工[详细]
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