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目前DDR5内存规范还未确定，但海力士已经迫不及待的放出自家产品细节，而且将DDR5部分内容规范也发了出来。与DDR4相比，DDR5的提升相当明显，其中最高频率居然高达8400MHz，非常夸张。具体参数方面，DDR5内存的频率从3200MHz开始，最高可达8400MHz，内存密度包含8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb，也就是说单条最大[详细]
相对于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些变化，比如DDR4将内存下部设计为中间稍微突出，边缘变矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡，这样的设计可以保证金手指和内存插槽有足够的接触面从而确保内存稳定，另外，DDR4内存的金手指设计也有明显变化，金手指中间的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。当然[详细]
DDR=Double Data Rate，即双倍数据速率。DDRSDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯称为DDR。其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展[详细]
SDR：Single Data Rate, 单倍速率DDR：Dual Data Rate， 双倍速率QDR：Quad Data Rate， 四倍速率DRAM：Dynamic RAM， 动态随机存储器， 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据SRAM：Static RAM， 静态随机存储器， 静态随机存储器，不需要刷新电路，数据不会丢失SDRAM: Synchronous DRAM， 同步状态随机[详细]
DRAM内部分割成多个L-Bank，每个L-Bank形状相同，彼此独立，可以独立工作。早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank，后来是4个，DDR3内存芯片为8个。在进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个L-Bank，而每次与CPU交换的数据就是 L-Ban[详细]
1.NAND颗粒：浮栅极物理结构单元，通过电压驱动电子，由电压值来判定bit位0或1。分为SLC、MLC、TLC三种flash颗粒，擦除次数分别为1万-10万、1千-1万、几百-1千次。寿命是NAND Flash的最大问题，其次是由于特殊的结构，擦除时延较大，在大量写的时候由于垃圾回收机制导致较大时延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[详细]
据韩国《中央日报》报道，因贸易争端在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。报道还指出，三星电子和SK海力士负责材料开发的工程师正在对韩国生产的氟化氢试验品进行成分分析，三星电子已经开[详细]
美光半导体周四宣布，该公司一开始量产基于第三代 10nm 制程（又称 1z nm）制程的存储芯片，首批到来的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。随着时间的推移，该公司还将进一步扩大其产品组合。与第二代 10nm 工艺相比， 新工艺使得美光能够提升 DRAM 芯片密度，在增强性能的同时、降低产品的功耗。值得一提的是[详细]
16GB（TwinDie™）DDR4 SDRAM使用Micron的8GB DDR4 SDRAM模具；两个x8组合成一个x16。与mono x16类似，有一个额外的zq连接，用于更快的zq校准和x8寻址所需的bg1控制。请参阅Micron的8GB DDR4 SDRAM数据表（x8选项）本文件中未包含的规范。与双模制造零件号相关的基本零件号MT40A1G8规范MT40A1G16。[详细]
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