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DFT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、module level，定义各项测试的次序，筛选出性能较差和失效的device，需要[详细]
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解，大家可以参考文章闪存技术最全面解析。今天主要讨论下NAND Flash生产过程、架构和关键指标。NAND Fl[详细]
一、引脚介绍引脚名称引脚功能CLE 命令锁存功能ALE 地址锁存功能/CE 芯片使能/RE 读使能/WE写使能/WP写保护R/B 就绪/忙输出信号Vcc电源Vss地N.C不接IO0~IO7传输数据、命[详细]
本文主要介绍如何对Nand Flash进行测试，适用与华邦品牌，也适用其它同行品牌。FT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片测试主要是为了筛选（Screen Out）出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。测试流程（Test Flow）从wafer level，到single component level、[详细]
内存供货商旺宏电子(Macronix)，6月15日举行股东会，董事长吴敏求表示，NOR Flash与NAND Flash内存的需求持续满载，工业与车用的比例将进一步提升。吴敏求指出，Flash内存在汽车与工业应用的比重将持续增加，由目前的26% 提升至约30%左右；此外，在NOR Flash方面，目前在日本市场的市占率已超过50%，而公司的目[详细]
Flash名称的由来，Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位，Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB，全部擦除为1，也就是里面的内容全部都是0xFF了，由于是一下子就擦除了，相对来[详细]
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