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美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年5月7日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Si[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持[详细]
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-F封装[详细]
1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M032WAMH特点：高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素，符合RoHS（注1）应用程序•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKCK2M032WAMH DATASHEET电气特性图（注4[详细]
1200V 30mohm Silicon Carbide Power MOSFET AKCK2M030WAMH-A特征：高速切换性能•低电容•具有低反向的快速本征二极管恢复•无卤素，符合RoHS（注1）•具备合格的AEC-Q101和PPAP应用程序：•电动汽车电机驱动•DC/DC转换器•开关模式电源•太阳能逆变器•OBCAKC[详细]
瑶芯微650V 1.4欧姆超级结功率MOSFET说明：这种SJ设备为客户应用提供了良好的FOM性能和更好的EMI。特点：•低FOM RDS（ON）×QG•更好的EMI•100%UIS测试•符合RoHS（注1）•无卤素（注1）应用程序：•高频开关•快速充电和适配器关键性能参数：aks65n14km数据表：最大额定[详细]
瑶芯微600V 30欧姆超级结功率MOSFET说明：这种SJ设备为客户应用提供了良好的FOM性能和更好的EMI特点： 低FOM RDS（ON）x QG 更好的EMI 100%UIS测试 符合RoHS（注1） 无卤素（注1）应用程序： 开关电源（SMPS） 不间断电源（UPS） 功率因数校正[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标[详细]
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。通过对栅极设计[详细]
新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr)，以及出色的品质因数(RDS(on)x Qg)，能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广[详细]
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