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IGBT：功率器件领域最具发展前景的赛道IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极结型晶体管，即三极管）和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管）两种结构复合而成的全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT同时具备MOSFET输入阻抗高、开关速度快、控制功率小、驱动电路简单、[详细]
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