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绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势，成为许多高功率应用的理[详细]
国产半导体生产厂商经历10年以上生死考验的还真不多，上海贝岭是老字辈。那上海贝岭核心产品是？颖特新科技讯：有投资者在互动平台向上海贝岭提问：请问公司今年推出了哪些车规级芯片？哪些是高端产品？公司回答表示：公司加快车规级芯片的推出，涵盖IGBT、MOSFET、EEPROM、电源管理电路、电压基准、驱动电路等[详细]
2024年6月12日--智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)， 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来业[详细]
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了[详细]
SIC模块（Silicon Carbide Module）和IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是两种不同的功率半导体模块，它们在材料、特性和应用方面有一些区别。1. 材料：SIC模块采用碳化硅（SiC）作为半导体材料，而IGBT模块则采用硅（Si）作为半导体材料。碳化硅具有较高的热导率和较高的电场饱和漂移速度[详细]
深圳市颖特新与瑶芯微电子科技（上海）有限公司联手合作，颖特新代理瑶芯微主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，主营产品为功率器件（中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS，IGBT，FRD，SiC MOS和SiC 二极管）和MEMS传感器以及信号链IC。主要应用领域为： 消费类和工业类以及车[详细]
2023年，对于新能源汽车市场而言，依然延续了2022年以来的增长趋势。根据Clean Technica的数据，2023年H1全球汽车销量达到4243万台，同比增长11%。其中新能源汽车销量达583.2万辆，同比大幅增长40.2%，市场渗透率达到15%。据其预测，2023年整年全球新能源汽车销量将达到1380万辆，同比增幅在30%左右。新能源汽车[详细]
一些常见的功率半导体包括： 1.功率二极管（Power Diode）：用于整流和保护电路。 2. 功率MOSFET（Power MOSFET）：用于开关和放大电路。 3. 功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：结合了MOSFET和双极型晶体管的特点，用于高压和高电流应用。 &n[详细]
在全球碳达峰、碳中和的背景下，近年来新能源汽车行业快速增长，并且带动了充电桩等众多配套设施的发展。最近，芯八哥“走进产业链”栏目记者采访了国内领先的IGBT充电集企业安和威董事常务副总黄大强，探讨在充电桩配套行业景气度高企的背景下，当前安和威企业的发展情况以及对行业未来发展的展望。单套充电集[详细]
功率模块是一种集成了功率半导体器件和驱动电路的模块化电子元件，广泛应用于电力电子领域。在功率模块中，常见的器件包括IBGT单管、IGBT模块、IPM模块和SiC模块。下面将对它们的区别进行详细介绍。1.IBGT单管（Insulated Gate Bipolar Transistor）： IBGT单管是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极晶体管[详细]
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