6月23日，宁德时代发布第三代CTP -- 麒麟电池，系统集成度创全球新高，体积利用率突破72%，能量密度可达255Wh/kg，轻松实现整车1000公里续航。CTP 3.0麒麟电池性能宁德时代从电化学本质出发，持续拓展系统结构的创新边界。2019年，宁德时代在全球首创了无模组电池包CTP，率先使电池体积利用率突破50%大关。如今
ROHM低损耗性能和超低噪声特性的第4代快速恢复二极管“RFL_RFS系列”有助于提高空调、电动汽车充电桩等的电源效率并为减少噪声对策做出贡献颖特新科技讯：全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向在空调和电动汽车充电桩等需要大功率的工业设备和消费电子设备，开发出实现了低VF和高速trr特性*1以及
意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，ST
移远通信(Quectel Wireless Solutions)发布支持集成式SIM (iSIM)技术的全新超紧凑型LTE Cat M1、NB1和NB2模组BG773A-GL。新模组的iSIM功能为集成商和物联网服务提供商带来极大的灵活性和简单性，因为从本质上讲，它支持拥有唯一库存单位(SKU)编号的设备获得正确的连接，从而满足其全球范围的需求。最终
NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6A，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。可广泛应用于光伏、储能等新能源领域空调压缩机、工业电机驱动高效高密度工业、通信、服务器电源半桥、全桥、LLC电源拓扑如下图NSD1624功能框图所示，纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高
低工作电流和低关机电流有助于尽可能延长手机电池续航时间基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出其电平转换器系列的新晋产品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可实现下一代低压手机基带处理器与用户身份模块(SIM)卡的无缝连接。随着处理器的几何尺寸向个位数纳米节点发展，先进SOC的核心电压也正
全新锐龙嵌入式 R 系列片上系统提供了双倍核心数量、增强的 Radeon 图形处理器、支持 Windows 11以及灵活多用的多显示器配置能力AMD（纳斯达克股票代码：AMD）今日宣布推出锐龙?嵌入式 R2000 系列，这款第二代中端片上系统（ SoC ）处理器针对广泛的工业与机器人系统、机器视觉、物联网（ IoT ）和瘦客
颖特新科技讯：TDK株式会社推出了一款薄型印刷线圈，用于支持下一代移动设备的无线充电，该产品已于2022年5月开始量产。通过独特的印刷线圈技术实现业界领先的0.76毫米厚度支持更大的充电区域符合Qi无线充电标准WCT38466-N0E0SST101产品的开发没有采用传统的光刻曝光/蚀刻技术,而是将TDK的颠覆性工艺技术与使用
Analog Devices, Inc. (ADI)推出一款针对高性能超宽带数据转换器和同步应用的800MHz至12.8GHz频率合成器ADF4377。这款频率合成器通过提供超干净时钟源来驱动信号采样过程，从而实现出色的信噪比性能。基于ADF4377，新一代宽带接收器和发送器可以利用更高水平的动态范围，从而提高接收器灵敏度和发送器频谱纯度。
全新传感器及信号调节IC，与瑞萨卓越的MCU产品线、先进的固件、嵌入式AI及独特的快速连接物联网设计平台相搭配全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一系列全新解决方案，以此改变设计人员构建传感器连接物联网应用的方式，从而缩短设计周期，提高精度，降低系统成本。除了全新
