当前位置:首页 >> 电容电阻 >> 三星拟扩产 3D NAND闪存 外资:2017 年产能将拉高近 4 成

三星拟扩产 3D NAND闪存 外资:2017 年产能将拉高近 4 成

3D Nand Flash 作者:admin 来源:不详 发布时间:2018-01-05 19:36:50   浏览:5

韩国经济日报(KoreaEconomic Daily)15日报导,三星电子(SamsungElectronics Co.)打算在2017年底前扩充3D NAND型快闪内存产能,总共要斥资25兆韩元,主要扩产的是位于中国西安的厂房,预定今年稍晚会于该厂新设一条3DNAND生产线,另外还将在韩国平泽市的厂房投入资本。虽然根据韩国时报报导,三星电子已在15日稍早否认上述消息,宣称3DNAND的投资内容尚未敲定,但分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。

颖特新科技讯:J.P.摩根发布研究报告指出,三星应该会在今年底将3D NAND的月产能拉高至接近16万片晶圆(西安厂12万片、Line 16厂接近4万片)。三星的西安厂目前已接近产能全开,且该公司还计划把Line16厂的部分2DNAND产能转换为3D。

另外,三星也将善用Line17厂在2楼的空间,于明年投产3DNAND。依据上述假设,J.P.摩根估计三星明年底的3DNAND月产能将攀升至22万片(西安厂12万片、Line 16厂近6万片、Line 17厂近4万片),等于比今年底的月产能(16万片)扩充37.5%,并占业界总体产能的12%。

编辑:admin  最后修改时间:2019-09-04