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2024-03三星Nand闪存芯片，涨价15~20%

近日，有报道称三星计划在本月至下月期间，同主要移动端、PC 端、服务器端客户就NAND闪存价格重新谈判，旨在将价格提升15~20%。在历经一年多供过于求之后，三星的NAND闪存售价一度持平成本，因此计划与大客户进行谈判，将价格拉回到合理水平上。研究机构TrendForce数据显示，2023年第四季度全球NAND Flash产业营[详细]

2023-11芯片巨头将逐季涨价20%！

最新消息，韩国媒体Pulse引述半导体产业多位消息人士谈话指出，三星在本季调升NAND芯片报价10%至20%之后，已决定明年第1季与第2季逐季再调涨报价20%。此举是三星努力稳定NAND芯片价格，目标在明年上半年逆转市场的行动。市调机构集邦科技（TrendForce）先前指出，NAND芯片价格自8月起涨，看好在供应商议价态度转[详细]

2023-10突发！美国突然正式放开芯片限制！

最新消息显示，韩国方面反馈，美国政府已做出最终决定，在无需单独批准的情况下，三星电子和SK海力士可以向中国工厂供应美国半导体设备。公开资料显示，当前，三星电子在中国西安生产 NAND 闪存，SK 海力士在无锡工厂生产 DRAM 芯片，在大连生产 NAND 闪存。集邦咨询（TrendForce）统计数据显示，截至 6 月底，[详细]

2023-10美国或对这些芯片大厂放松出口管制禁令

据知情人士透露，美国预计将无限期延长韩国芯片制造商三星电子和SK海力士在向中国出口使用美国芯片制造设备制造的芯片时需要获得许可的豁免。该豁免意味着，这将使得三星电子和SK海力士这两大韩国芯片公司能够将美国生产的芯片制造设备运往这两大公司在中国的工厂。据知情人士透露，美国商务部已经与韩国芯片制[详细]

2023-09国产芯片大混战，这些半导体厂商才是王者

半导体产业在各行各业的发展中起到举足轻重的作用。半导体是信息技术产业的核心，是支撑现代经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。美国加强限制中国先进半导体制程技术发展近年来，美国为维护自身霸权，秉持“强化”与“遏制”并举的半导体[详细]

2023-08Nand flash是固态硬盘吗 nor flash与Nand flash区别介绍

NAND Flash是固态硬盘（Solid State Drive，SSD）的核心存储技术之一。固态硬盘是一种使用闪存存储器（如NAND Flash）作为主要存储介质的存储设备，相比传统的机械硬盘（Hard Disk Drive，HDD），具有更快的读写速度、更低的能耗和更高的可靠性。NAND Flash是一种非易失性存储器，它采用了闪存技术，可以在断电[详细]

2023-08Nand闪存这类进口芯片价格上涨最高调涨10%

据台媒电子时报报道，消息人士称，尽管NAND闪存价格即将上涨，但中国大陆存储器模组制造商最近已停止提供产品报价或接受订单，因为预计存储芯片制造商即将采取提价行动，并补充说模组制造商计划提高产品报价8-10%。尽管买家和供应商将进行新一轮价格谈判，但行业明显正走向涨价趋势，NAND闪存定价将更合理地反[详细]

2023-06Nand flash闪存芯片：华邦W25N04KW

W25N04KWfacebooktwitterlinkedIn4Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+128B page size and set Buffer Read Mode as defaultDensity4GbIndustrial StatusMass ProductionVcc1.7V - 1.95VFrequency104MHzPackageWSON8 6x8, TFBGA24 6x8Temperature Range-40℃ ~ 85℃ / -40℃ ~ 105℃Feature ListPag[详细]

2023-06国内Nand flash厂家：华邦W25N01KV

W25N01KVfacebooktwitterlinkedIn1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size for Buffer Read Mode and 2KB+96B page size for Sequential Read Mode.Density1GbIndustrial StatusMass ProductionVcc2.7V - 3.6VFrequency104MHzPackageWSON8 6x8, WSON8 5x6, TFBGA24 6x8Temperature Range-[详细]

2023-06Nandflash芯片厂家：华邦W25N01GW

W25N01GWfacebooktwitterlinkedIn1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size and set Buffer Read Mode as defaultDensity1GbIndustrial StatusMass ProductionVcc1.7V - 1.95VFrequency104MHzPackageWSON8 6x8, TFBGA24 6x8Temperature Range-40℃ ~ 85℃ / -40℃ ~ 105℃Feature ListPage[详细]

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