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NAND FLASH的结构和特性

NONR FLASH 华邦 作者: 来源: 发布时间:2019-09-09 09:03:42   浏览:37

NAND FLASH的结构原理图见图1,可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的,NAND读取数据的单位是Page,当需要读取某个Page时,FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压,而对其他所有Page的Word Line施加电压(电压值不能改变FloatingGate中电荷数量),让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通,而我们要读取的Page的基本存储单元的D和S的导通/关断状态则取决于Floating Gate是否有电荷,有电荷时,Bit Line读出‘0’,无电荷Bit Line读出‘1’,实现了Page数据的读出,可见NAND无法实现位读取(即Random Access),程序代码也就无法在NAND上运行。

图1是一个8*8bit的NAND FLASH的原理结构图,图2是沿Bit Line切面的剖面图,展示了NAND FLASH的硅切面示意图,NAND FLASH的串联结构决定了其很多特点.

图一

(图1)

图二

                                            (图2)

(1)基本存储单元的串联结构减少了金属导线占用的面积,Die的利用率很高,因此NAND FLASH存储密度高,适用于需要大容量存储的应用场合,即适用于data-storage。

(2)基本存储单元的串联结构决定了NAND FLASH无法进行位读取,也就无法实现存储单元的独立寻址,因此程序不可以直接在NAND 中运行,因此NAND是以Page为读取单位和写入单位,以Block为擦除单位,见图3。

(3)NAND FLASH写入采用F-N隧道效应方式,效率较高,因此NAND擦除/写入速率很高,适用于频繁擦除/写入场合。同时NAND是以Page为单位进行读取的,因此读取速率也不算低(稍低于NOR)。

最后来个小贴士:NAND FLASH的中的N是NOT,含义是Floating Gate中有电荷时,读出‘0’,无电荷时读出‘1’,是一种‘非’的逻辑;AND的含义是同一个Bit Line下的各个基本存储单元是串联的,是一种‘与’的逻辑,这就是NAND 的由来。

图三

(图3)

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编辑:simon  最后修改时间:2019-09-17