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Winbond NAND Flash 芯片测试流程

华邦储器 NAND FLASH 作者: 来源: 发布时间:2019-05-29 17:42:20   浏览:35

本文主要介绍如何对Nand Flash进行测试,适用与华邦品牌,也适用其它同行品牌。

FT : Design For Testability

TTR :Test Time Reduction

KGD: Known Good Die

NAND Flash 芯片测试主要是为了筛选(Screen Out)出Flash阵列、译码器、寄存器的失效。

测试流程(Test Flow)

从wafer level,到single component level、module level,定义各项测试的次序,筛选出性能较差和失效的device,需要尽可能达到最好的测试覆盖率,避免最后出货的产品中有失效的产品,同时需要减少测试的时间与成本。

Winbond NAND Flash 芯片测试流程

Burn-in测试

普遍来说,是为了了解产品的潜在失效分析而在一定条件下(高温/高电压/一定湿度)下加速芯片老化,以至于故障提前出现。这种测试侧重在封装相关层面,包括化学和机械等因素。

根据浴盆曲线,产品的早期失效率较高,中间阶段比较稳定。为了让用户拿到的产品失效率较低,就要通过burn-in测试,剔除有缺陷的产品,让出货的产品在出厂前就度过早夭期。为了减少时间,需要进行加速,即在更恶劣的条件下试验(高温/高电压/一定湿度),而且根据理论可以计算出不同条件下的加速因子,根据实际时间计算出等效的时间。

控制测试成本的一个重要方向是提高测试的并行度。

测试机台在测试一批产品时,必须等待所有产品都完成后,才能开始下一阶段的测试。

减少测试时间,主要优化以下两方面:

1. 写读擦时间

2. 数据导入和结果获取

写读擦的时间由芯片特性决定,可以努力的方向在于如何同时对多个chip或block进行操作。

如果芯片可以自己生成测试数据,就可以节约数据输入的时间,这点可以通过DFT实现。如果可以直接得到测试成功失败的信息,不需要将原始的数据传输到测试机上,也可以节约大量时间。

以上,Winbond(华邦)系列产品特点总结,如您有疑问想洽谈合作,不妨来咨询华邦flash芯片代理-深圳颖特新科技;颖特新作为Winbond代理商,将竭尽全力为您服务。咨询QQ1580629703

编辑:Simon  最后修改时间:2019-07-07