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2020-08MOS管知识科普:功率mos管为何会被烧毁详解

在本文中颖特新小编主要解析功率mos管为何会被烧毁。mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪[详细]


2020-08MOS管替换原则及其他电子替换原则解析

本文主要是讲mos管替换原则及MOS管好坏判断,现来看看mos管替换原则及电子元件器件的替换原则。 近几年,电子产业外部环境变幻频繁,原厂并购与整合代理线、中美贸易战、元器件缺货轮番上演……产业不稳定因素增加,给电子产业供应链带来挑战。元器件替代成为热门话题,如何快速高效找到替代供应商,非常关键。[详细]


2020-08怎么做到mos管电子开关实现多点控制

mos管开关电路MOS管开关电路是利用一种电路,是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与[详细]


2020-088大常见开关电源电路解析

开关电源的电路组成开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器(EMI)、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。开关电源的电路组成方框图如下: 输入电路的原理以及常见的电路(1)AC输[详细]


2020-08FET简述与FET的应用

FET概述 FET即Field Effect Transistor,译为场效应晶体管,也叫场效应管,是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)。有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极。 FET原理简述 现在越来越多的电子电路都在使[详细]


2020-08MOS管D80N06替代产品-KND3306B规格书详解

MOS管D80N06替代产品KND3306B详细资料 1、MOS管D80N06替代产品KND3306B-特点RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V 提供无铅绿色设备 低Rds开启以最小化导电损耗 2、MOS管D80N06替代产品KND3306B-参数 3、MOS管D80N06替代产品KND3306B-封装图 4、MOS管D80N06替代产品KND3306B-规格书查看及下载规格书,请点击下图 [详细]


2020-08MOS晶体管的阈值电压及输出解析

MOS管 MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管,英文名metal oxide semiconductor,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 MOS管这个器件有两个电极,分别是漏极D和源极S,无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体[详细]


2020-08 MOS管的实际应用详细解析

MOS管和三极管类似,只不过 MOS管是压控压型(电压控制),而三极管是流控流型(电流控制)。 至于MOS管的使用,N型与P型存在区别,对于应用,我们只需要知道: 1、对于N型MOS管,若G、S之间为高(电压方向G指向S,具体电平看具体MOS管 ),D、S(电压方向D指向S)之间就会导通,此时D、S间相当于一个很小的电阻[详细]


2020-08防护静电危害电子元器件的基本原则及防护措施

为什么电子元器件产品会遭遇静电破坏?电子元器件按其种类不同,受静电破坏的程du度也不一样,最低的zhi100V的静电压也会对dao其造成破坏。近年来随着电子元器件发展趋于集成化,因此要求相应的静电电压也在不断降低。人体所感应的静电电压一般在2-4KV以上,通常是由于人体的轻微动作或与绝缘物的磨擦而引起的。[详细]


2020-08怎样区分场效应管与IGBT管

怎样区分场效应管与IGBT管,在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管?下面我们就来了解一下,怎样区分场效应管与IGBT管吧!什么是MOS管? 怎样区分场效应管与IGBT管。场效应管主要有两种[详细]


2020-08MOSFET开关电路类型集合与特性分析

MOSFET驱动电路为了帮助MOSFET最大化导通和关断时间,需要驱动电路。如果MOSFET需要相对较长的时间进出导通,那么我们就无法利用MOSFET的优势。这将导致MOSFET发热,器件将无法正常工作。MOSFET驱动器通常可以使用自举电路来产生电压,以将栅极驱动到比MOSFET电源电压更高的电压。实际上,MOSFET的栅极像驱动器[详细]


2020-08PN结单向导电原理解析

PN结是什么?PN结采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 二极管为什么只能[详细]


2020-08科普:交流电源的LED照明电路设计

交流电源交流电源是现代词,是一个专有名词,指的是插头与插座指用来接上用来将市电提供的交流电,使家用电器与可携式小型设备通电可使用的装置。基于一种交流电源的LED照明电路设计 当前全球能源短缺 的忧虑再度升高的背景下,节约能源是我们未来面临的重要的问题,在照明领域,led发光 产品的应用正吸引着世人[详细]


2020-08恒流电源电路设计的六个提示

LED电源的工程师经常提及“恒流”驱动,其实,在很多电子设备中,有许多用电设备要求供给的电流(而不是电压)保持恒定。一般把这种能够向负载提供恒定电流的电源称为恒流源。所谓恒流,是一种习惯说法,并不是电流值绝对不变,只是这种变化相对的小而已,在一个规定的工作范围内保持足够的稳定性。 基本的恒流源[详细]


2020-08MOS管晶体管增强型知识图文详解

根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个[详细]


2020-08碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率详解

目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近开发的碳化硅MOSFET元件,为这个领域另外开闢出全新的可能性。主要的技术关键推手和应用限制 以反相器为基础的传动应用,最常见的拓扑就是以6个电源开关连接3个半桥接电桥臂。每一个半桥接电桥臂,都是以欧姆电感性负载(马达)上的硬开关换[详细]


2020-08V-FET或功率场效应管(MOS管)工作原理知识详解

V-FET或功率场效应管(MOS管)知识 功率MOS管通常采用V型配置,如图所示。这就是为什么该元器件有时被称为V-MOS管或V-FET。 功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压[详细]


2020-08【干货】剖析功率MOSFET知识详解 15条图文总结资料

功率MOSFET功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。今天本文主要是剖析功率MOSFET,将从十几个方面进行总结与解析。[详细]


2020-08一文解析三极管和MOS管工作原理、特性、符号等知识

三极管的工作原理及特性 三极管之所以运用如此广泛,其主要原因在于它可以通过小电流控制大电流。形象地说就是基极其是是一个阀门开关,阀门开关控制的是集电极到发射极之间的电流大小,而本身控制阀门开关的基极的电流要求很小。更加形象的图形说明如下所示: 三极管的结构与符号 三极管内部机构要求:(此处[详细]


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