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陶瓷贴片电容MLCC中的机械裂纹引起的主因是什么？引起机械裂纹的主要原因有两种。第一种是挤压裂纹，它产生在元件拾放在PCB板上的操作过程。第二种是由于PCB板弯曲或扭曲引起的变形裂纹。挤压裂纹主要是由不正确的拾放机器参数设置引起的，而弯曲裂纹主要由元件焊接上PCB板后板的过度弯曲引起的。如何区分挤压[详细]
台湾新唐科技推出全新工业级免外挂晶振 USB 的 M032 系列解决方案，强化领先业界的高性价比工业级 Arm® Cortex®- M0 免外挂晶振 USB 产品线，延续新唐科技领先的 USB 电竞产品优点，以最新的制造工艺，满足 USB 全温应用的需求。M032系列免外挂晶振优点新的 USB 硬件设计选择微控制器平台时，建议选择免[详细]
业界领先的芯片制造商美光科技(MU)最近开始大规模生产16Gb的DDR4产品，使用1z纳米(纳米)工艺技术。因此，美光成为第一家使用最小DRAM节点来扩展DRAM功能的内存芯片公司。使用1z nm节点生产16Gb DDR4产品将消耗更少的电能。值得注意的是，与之前的基于8Gb DDR4的产品相比，DDR4产品将减少40%的功耗。较小的1z nm[详细]
单片机的分为数据存储器和程序存储器。单片机内部的存储器称为片内存储器，片外扩展的存储器成为片外存储器。比如8031内部有数据存储器而没有程序存储器，所以它一般要外接一块程序存储芯片，内部的数据存储器叫做9031的片内存储器，外部扩展的存储芯片叫做片外存储器。早期，片内存储器，还是片外存储器，确实[详细]
关于程序的执行，以前想的不多，没有意识到一个程序在运行时，从哪里读指令，数据又写在哪里。最近在看CSAPP时这个念头经常在脑袋中晃荡。从单片机上知道，在上电的那一刻，MCU的程序指针PC会被初始化为上电复位时的地址，从哪个地址处读取将要执行的指令，由此程序在MCU上开始执行(当然在调用程序的 main之前[详细]
刚学单片机的学长告诉我单片机的晶振电路中就是用22pf或30pf的电容就行，听人劝吃饱饭吧，照着焊电路一切ok，从没想过为什么，知其所以然而不知其为什么所以然，真是悲哀，最近状态好像一直不太好，也难以说清楚为什么，前几天跟着老师去别的实验室听课，其实也就是听一听老师和师傅给别的实验室的同学讲嵌入式[详细]
源于一年前想自己动手给51写个OS，编译选Large模式，调试时整个流程都跑的好好的，可是烧写到片上后得不到预期的效果，后来查书才知道51单片机片上只有4KRom，如果没有扩展片外Rom，当访问4K以外的程序空间，程序指针又会回到最开始执行。参考手册扩展片外Rom后，能访问达64K的程序空间。网上能搜索到的扩展方式[详细]
启动代码通常都烧写在flash中，它是系统一上电就执行的一段程序，它运行在任何用户c代码之前。上电后，arm处理器处于arm态，运行于管理模式，同时系统所有中断被禁止，pc到地址0处取指令执行。一个可执行映像文件必须有个入口点，而能放在rom起始处的映像文件的入口地址也必须设置为0.在汇编语言中，我们已经说[详细]
上一文中扩展了单片机的程序存储器，4KB存储空间提升到64KB。其实，4K的代码空间还凑合，但是51自带的256B数据存储空间使用起来还真紧张，其中留给用户的连128B都不到，所以不得不扩展片外RAM。扩展RAM方法和扩展ROM差不多，都是占用P0/P2口做地址线，同时P0用锁存器74373分时复用地址和数据信号。以前扩展RAM是[详细]
Startup code：启动代码。在Keil中，启动代码在复位目标系统后立即被执行。启动代码主要实现以下功能：(1) 清除内部数据存储器(2) 清除外部数据存储器(3) 清除外部页存储器(4) 初始化small模式下的可重入栈和指针(5) 初始化large模式下的可重入栈和指针(6) 初始化compact模式下的可重入栈和指针(7) 初始化[详细]
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