芯片_颖特新科技

最热知识

2020-06HC32L136国产超低功耗华大MCU芯片介绍

华大HC32L136 系列32 位 ARM® Cortex®-M0+ 微控制器HC32L136 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成 12 位 1M sps 高精度 SARADC，以及集成了比较器、运放、内置高性能 PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建 AES、RNG 等[详细]

2020-06HC32F003国产低功耗华大MCU芯片介绍

华大HC32F003 系列32 位 ARM® Cortex®-M0+ 微控制器HC32F003 系列是一款Low Pin Count、宽电压工作范围的MCU。集成12位1M sps 高精度SARADC 以及集成了比较器，多路UART，SPI，I2C等丰富的通讯外设，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。HC32F003 内核采用Cortex-M0+ 内核，配合成熟的Keil μVisi[详细]

2020-06HC32F005国产低功耗华大MCU芯片介绍

华大HC32F005 系列32 位 ARM® Cortex®-M0+ 微控制器HC32F005 系列是一款Low Pin Count、宽电压工作范围的MCU。集成12位1M sps 高精度SARADC 以及集成了比较器，多路UART，SPI，I2C等丰富的通讯外设，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。HC32F005 内核采用Cortex-M0+ 内核，配合成熟的Keil μVisi[详细]

2020-06武汉新芯50nm代码型闪存芯片量产，逼近物理极限

据武汉新芯集成电路制造有限公司消息，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已于近日全线量产。目前，在全球NOR Flash存储芯片领域，业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，已逼近此类芯片的物理极限，无论是存储单元面积还是存储密度，均达到国际先进水平。据了解，武汉新芯50[详细]