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M031TC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备32 KB Flash 和 4 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
M031SC2AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备32 KB Flash 和 8 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
M031LC2AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备32 KB Flash 和 8 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
M031FC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 ~ 3.6 V，配备32 KB Flash 和 4 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、电流和[详细]
新唐M031EC1AE 是基于 Arm® Cortex®-M0 内核的低工作电压微控制器，具有 32 位硬件乘法器/除法器。运行频率高达 48 MHz，工作电压为 1.8 V ~ 3.6 V，配备 32 KB Flash和 4 KB SRAM。凭借其特殊设计的性能，如 2 MSPS ADC，96 MHz PWM，24 MHz SPI，6 MHz UART。可应用于工业控制和消费类应用，让电压、[详细]
NuTiny-NUC029SG开发板是芯唐科技2019年3月份推出的开发板，相关开发板介绍等笔者正式拿到开发板后向大家介绍，目前有需要此款开发板的工程师朋友们可联系业务预定。[详细]
ML51UC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51UC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
ML51TC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51TC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
ML51PC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51PC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
ML51EC0AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器，正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz，并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器，支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度： - 40 ℃ 至 105 ℃。ML51EC0AE 包含 32 K 字节的 Flash 以及一个额外 2[详细]
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