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2019-09东芝NAND闪存:TH58NYG3S0HBAI4

TH58NYG3S0HBaI4是一个1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM),其组织为(4096+256)字节或64页或4096块。装置具有两个4352字节的静态寄存器,允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节:4352字节×[详细]


2019-09东芝NAND闪存:TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBaI6是一个1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM),其组织为(4096+256)字节或64页或4096块。该设备具有两个4352字节的静态寄存器,允许在寄存器和存储单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节:4352字节×[详细]


2019-09FLASH闪存和SSD固态硬盘的区别

什么是固态硬盘固态驱动器(Solid State Disk或Solid State Drive,简称SSD),俗称固态硬盘,固态硬盘是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,是由FLASH闪存作为基础存储介质的存储设备,SSD由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电[详细]


2019-09紫光集团旗下长江存储启动64层3D NAND闪存量产

颖特新科技讯:2019年9月2日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)在IC China 2019前夕宣布,公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3DNAND闪存,该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台[详细]


2019-09东芝首发UFS 3.0闪存 有三种容量可供选择

根据外媒的报道,东芝内存公司(Toshiba Memory Corporation)已开始对业界首款UFS 3.0闪存嵌入式设备进行采样。  新产品系列采用了该公司最先进的96层BiCS FLASH 3D闪存,有三种容量可供选择:128GB,256GB和512GB。据介绍,东芝宣布推出业界首款采用超快速通用闪存(UFS)3.0版技术的嵌入式闪存芯片。新[详细]


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