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2019-08美光MT40A2G8VA-062E IT DDR4-3200

ddr4 sdram是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为x16配置的8行dram和x4和x8配置的16行dram。ddr4 sdram采用8n预取结构实现高速操作。8n预取体系结构与一个接口相结合,该接口设计用于在I/O管脚处每个时钟周期传输两个数据字。ddr4 sdram的单次读写操作包括内部dram核心的单次8n位宽的四时钟数据传输和在i/o[详细]


2019-08美光MT40A4G4DVN-062H DDR4-3200

16 GB,2-高(2H)和32 GB,4-高(4H)三维堆栈(3DS)DDR 4 SDRAM使用微米的特殊3DS,8GB DDR4SDRAM组织成两个或四个逻辑级。参考微米的8GB DDR 4 SDRAM数据未包括在本文件中的规格单。基件编号MT40A2G4与2H3DS制造部件编号MT40A4G4和4H3DS制造零件编号相应的规范MT40A8G4;基础零件号MT40A1G8的规格对应于2H3ds制造[详细]


2019-08美光MT40A4G4DVN-068H DDR4-2933

16 GB,2-高(2H)和32 GB,4-高(4H)三维堆栈(3DS)DDR 4 SDRAM使用微米的特殊3DS,8GB DDR4SDRAM组织成两个或四个逻辑级。参考微米的8GB DDR 4 SDRAM数据未包括在本文件中的规格单。基件编号MT40A2G4与2H3DS制造部件编号MT40A4G4和4H3DS制造零件编号相应的规范MT40A8G4;基础零件号MT40A1G8的规格对应于2H3ds制造[详细]


2019-08美光MT40A4G4DVN-075H DDR4-2666

16 GB,2-高(2H)和32 GB,4-高(4H)三维堆栈(3DS)DDR 4 SDRAM使用微米的特殊3DS,8GB DDR4SDRAM组织成两个或四个逻辑级。参考微米的8GB DDR 4 SDRAM数据未包括在本文件中的规格单。基件编号MT40A2G4与2H3DS制造部件编号MT40A4G4和4H3DS制造零件编号相应的规范MT40A8G4;基础零件号MT40A1G8的规格对应于2H3ds制造[详细]


2019-08美光MT40A4G4VA-062E DDR4-3200

ddr4 sdram是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为x16配置的8行dram和x4和x8配置的16行dram。ddr4 sdram采用8n预取结构实现高速操作。8n预取体系结构与一个接口相结合,设计用于在I/O管脚处每个时钟周期传输两个数据字。ddr4 sdram的单次读写操作包括内部dram核心的单次8n位宽的四时钟数据传输和在i/o管脚的[详细]


2019-08ADS1015IDGSR

ADS1015IDGSR[详细]


2019-08ADC108S022CIMTX/NOPB

ADC108S022CIMTX/NOPB[详细]


2019-08TPS563200DDCR

TPS563200DDCR[详细]


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